发布时间:2010-11-10 阅读量:1140 来源: 发布人:
本应用笔记介绍了在器件内部PWM (脉冲宽度调制)控制器的基础上增加外部PWM调光功能的方法,以MAX6948 WLED (白光LED)驱动器为例,给出了相应的器件配置和指标参数。
MAX6948简介
MAX6948 WLED (白光LED)驱动器的输入电压范围为+2.7V至+5.5V,可以将输出电压提升到+28V,用于驱动手机背光。如果WLED的标称正向导通电压为3V,MAX6948的额定28V高压端口可以驱动9只串联的WLED,用于手机LCD屏的背光。该高压端口能够保持稳定的30mA电流,这些串联背光LED的亮度通过一个10位、1024级的PWM电路进行控制。
另外,MAX6948有五个GPIO,可直接驱动由电池供电的LED或作为漏极开路I/O使用。作为LED驱动器使用时,额定电压为8V的输出端口能够提供10mA或30mA (最大值)的恒定电流,并带有8位、256级PWM亮度控制。
MAX6948集成器件产生驱动不同LED亮度的PWM信号,通过I²C命令控制。Boost转换器的输出能够驱动WLED,使其置于全亮、全闭状态,或按照10位分辨率设定PWM占空比。最大电流由反馈电阻RB决定。如果RB为3.3Ω,则通过LED的最大电流近似为30mA (VFB/RB = 100mV/3.3Ω 30mA);如果RB为30Ω,对应的最大电流近似为3.3mA。反馈电压VFB稳定在100mV左右,用来控制流过WLED的最大电流。通过调节反馈电阻,可以增加额外的WLED亮度调节方式。
增加外部PWM控制
有些手机处理器具有PWM输出,可直接调节LED亮度。借助该输出,可以根据不同需求,利用外部PWM信号和I²C命令调节LED亮度。MAX6948不具备外部PWM输入,但可以通过配置电路(图1)增加一个外部PWM亮度调节。
图1. 该电路在MAX6948 WLED驱动器上引入一个外部PWM控制,PWM信号由微控制器产生,频率为5kHz,占空比范围为0至100%。
该方案中,PWM控制信号由MAXQ2000微控制器评估(EV)板产生。电路输出电压范围为0V至+3.3V,频率为5kHz;占空比可以在0%至100%之间调节。MAX6948安装在其评估板上,利用Vishay® SI4800BD n沟道FET晶体管调制反馈电阻。在手机应用中,应使用小尺寸、低漏-源电阻RDSON的n沟道FET晶体管。否则,应减小RB电阻以补偿较大的RDSON。SI4800BD具有极低的导通电阻,但采用的是8引脚SO封装。考虑到PWM频率只有5kHz,使用MAXQ2000的驱动器时可以忽略栅极电荷的影响。由于晶体管工作在开、关状态,其功耗可以忽略不计,图2给出了测试装置。
详细图片(PDF, 1.8MB)
图2. 测试装置,左侧为MAXQ2000评估板,右侧为MAX6948电路板。
测试结果
图3至图5是利用电流探头获取的测试结果,显示了流过串联WLED的电流。开启MAX6948的内部PWM功能,占空比设定为50%。图3为外部PWM信号占空比为15%时的LED电流,图4所示为外部PWM信号占空比为85%时的电流,图5给出了外部PWM信号对串联WLED电流的影响。
数据显示,由于时间常数和MAX6948的反馈,LED电流不会在最小值(由30Ω电阻决定)和最大值(由3.3Ω电阻决定)之间切换。平均幅度和PWM摆幅随外部PWM占空比设置而改变。
图3. 外部PWM信号占空比为15%时的LED电流
图4. 外部PWM信号占空比为85%时的LED电流
图5. 外部PWM信号对LED电流的影响
这个例子中,外部PWM信号实际改变了n沟道FET晶体管的瞬时导通电阻和平均导通电阻,从而改变了流过串联LED的电流。该电路中,需要注意两个问题。首先,外部PWM信号的频率为5kHz,远远高于125Hz内部频率;其次,外部PWM信号还调节了LED电流的直流分量。基于这两个因素,可以避免双PWM亮度调节通常存在的“竞争”问题。改变外部PWM信号的占空比,内部PWM信号占空比范围为0%至100%,外部控制始终有效。在不同的占空比组合中没有出现“竞争”现象。
LED的流明一定范围内与其导通电流呈线性关系,图6给出了MAX6948评估板上使用的Kingbright® WLED的流明与正向电流的对应关系,在3.3Ω至30Ω之间调节RB电阻,产生30mA至3.3mA的正向电流。如图6所示,在3mA至30mA电流范围内,电流与流明之间近似为线性关系。外部PWM信号占空比为0%时,对应于3mA电流的亮度;外部PWM信号占空比为100%时,对应于30mA电流的亮度。这些结果基于内部PWM信号完全导通而得出。通过I²C命令开启器件内部PWM功能时,可以将亮度设置在较低水平。
图6. 流明与电流的对应关系
根据IDC最新发布的企业级存储市场追踪数据,2024年中国存储产业迎来结构性增长拐点。全年市场规模达69.2亿美元,在全球市场占比提升至22%,展现出强劲复苏态势。以浪潮信息为代表的国内厂商持续突破,在销售额(10.9%)和出货量(11.2%)两大核心指标上均跻身市场前两强,标志着本土存储生态的成熟度显著提升。
全球消费电子巨头索尼集团近期被曝正酝酿重大战略调整。据彭博社援引多位知情人士透露,该集团拟对旗下核心半导体资产——索尼半导体解决方案公司(SSS)实施部分分拆,计划于2023年内推动该子公司在东京证券交易所独立IPO。该决策标志着索尼在半导体产业布局进入新阶段,同时也预示着全球图像传感器市场格局或将发生重要变化。
在2025上海国际车展上,移远通信推出的全新车载蜂窝天线补偿器引发行业关注。该产品通过双向动态补偿、微秒级频段切换及混频电路集成等核心技术,解决了车载通信中长期存在的射频链路损耗难题,为智能网联汽车提供稳定高效的通信支持。本文将从技术优势、竞争分析、应用场景及市场前景等多维度解读这一创新方案。
在全球DRAM市场格局加速重构的背景下,三星电子近期宣布将跳过第八代1e nm工艺节点,转而集中资源开发基于垂直通道晶体管(VCT)架构的下一代DRAM技术。据内部路线图显示,三星计划在2027年前实现VCT DRAM量产,较原定计划提前一个世代。该技术通过三维堆叠晶体管结构,将存储单元面积缩减30%,并利用双晶圆混合键合工艺解决信号干扰问题,被视为突破传统平面工艺物理极限的核心方案。
2025年4月28日,京东方科技集团股份有限公司(以下简称“京东方”)发布2025年第一季度财报,以多项核心经营指标的历史性突破,彰显其作为全球半导体显示龙头企业的强劲发展动能。报告期内,公司实现营业收入505.99亿元,同比增长10.27%,创下一季度收入新高;归属于上市公司股东的净利润达16.14亿元,同比大幅增长64.06%,扣非净利润13.52亿元,同比飙升126.56%。这一业绩表现得益于其“屏之物联”战略的深化落地,以及“1+4+N+生态链”业务架构下各板块的协同创新。