39亿个!集成电路晶体管规模创新纪录

发布时间:2011-04-26 阅读量:906 来源: 发布人:

中心议题:
    * 39亿个晶体管集成的Stratix V 5SGXA7样品已经出货

半导体大厂Altera Corporation今天宣布了新款FPGA集成电路芯片“Stratix V”,采用台积电28nm工艺制造,集成了惊人的39亿个晶体管,创下历史新纪录。

在此之前,NVIDIA Fermi费米架构的高端图形芯片GF100/GF110曾经集成了30亿个晶体管,首次突破30亿大关,所用的40nm制造工艺也是来自台积电。Intel将于明年推出的新一代安腾处理器Poulson也将集成31亿个晶体管,32nm工艺制造。

Altera的这一壮举也直接证明了台积电28nm工艺的成熟度和可靠性。据了解,Stratix V大规模芯片采用的是台积电28nm HP高性能工艺,并融入了高K金属栅极(HKMG)技术、硅锗嵌入第二代应变技术,而且在2010年底就已流片成功。

Stratix V FPGA系列拥有28Gbps带宽收发器、可变精度DSP模块、可订制嵌入式HardCopy模块(支持PCI-E 3.0/2.x/1.x以及40G/100G以太网等等)等先进特性,可用于各种需要超高性能、超高带宽的领域,比如100G OTN光纤传输网络复用转发器、100GbE线路卡、高级军用雷达等等。

Altera Stratix V FPGA家族首款型号Stratix V 5SGXA7的样品已经出货。



相关资讯
日产与Wayve达成AI驾驶辅助合作!计划2027财年在日本首发

近日,日产汽车和总部位于英国的自动驾驶初创公司Wayve签署协议,合作开发基于人工智能的驾驶辅助系统。

京东重金布局存算一体AI芯片,“40K-100K×20薪”高调招募存算一体AI芯片人才!

京东开启招聘存算一体芯片设计工程师计划,薪酬高达“40K-100K*20薪”

铠侠2026年量产第十代NAND闪存,332层堆叠助力AI数据中心存储升级!

日本芯片制造商铠侠(Kioxia)计划于2026年在其岩手县晶圆厂开始生产新一代NAND闪存芯片。

英特尔、AMD、德州仪器遭指控!被指对芯片流入俄罗斯存在“故意漠视”

一系列诉讼指控芯片制造商英特尔、AMD及德州仪器公司,未能有效阻止其技术被用于俄罗斯制造的武器。

突发!台积电日本晶圆厂已停工,或直接升级至4nm工艺!

台积电日本子公司JASM熊本第二晶圆厂在 10 月下旬启动后近期处于暂停状态,重型设备已撤出工地