提供更高功率密度和效率的全新600V IGBT

IR新一代Gen 7 F器件采用击穿沟道式技术，能够为特定的工作频率提供更高功率密度，以及经过优化的传导和开关损耗。全新IGBT的VCE(ON)  非常低，能通过零温度系数提升效率，使整个工作范围都能保持高效率。该器件还能实现顺畅开关，以减少电磁干扰与过冲，并且能在电机驱动应用中实现额定短路。
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IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR全新的600V Gen 7 F沟道IGBT具有非常低的开关和传导损耗，为在10kHz以下工作的电机驱动应用进行了优化，从而实现最佳效率。”

IRG7RC10FD 和IRG7IC30FD 均与软恢复二极管共同封装，而IRG7SC12F 则是单一IGBT，可让设计师根据应用需要选择合适的二极管。

两款配备Gen 7 F IGBT的电机控制参考设计现已供应。IRMDKG7-400W包含适合高达400W电机的IRG7SC30FD DPAK IGBT和IRS2334S 三相位高压集成电路 (HVIC) 驱动器，而IRMDKG7-600W包含适合高达600W电机的IRG7SC30FD DPAK IGBT和IRS2334S 三相位高压集成电路驱动器。两款参考设计都备有散热片供用户选择。