发布时间：2012-09-5 阅读量：723 来源: 发布人:
导读：在“2012年欧洲电力电子、智能运动、电能品质国际研讨会与展览会”上，英飞凌科技股份公司推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，该产品系列增强了英飞凌在SiC（碳化硅）产品市场的领先地位。这个革命性的新产品系列，立足于英飞凌在SiC技术开发以及高质量、大批量生产方面十多年的丰富经验。
英飞凌科技股份公司高压功率转换产品部负责人Jan-Willem Reynaerts指出：“英飞凌已针对需要高效电源管理的市场推出了多项突破性技术。CoolSiCTM 也是一种革命性的创新技术，可将太阳能逆变器的性能提升至新的水平。凭借新型SiC JFET技术，我们可以帮助客户开发出更好的气候保护解决方案。”
与IGBT相比，新型 CoolSiCTM 1200V SiC JFET大幅度降低了开关损耗，在不牺牲系统总体效率的情况下，可以支持更高的开关频率。这为使用更小的无源元件创造了条件，其结果是缩小客户设计的产品的尺寸，降低其重量，并压缩系统成本。换言之，设计人员可在不增加太阳能逆变器体积的情况下，实现更高的输出功率。
为了确保常通型JFET技术的安全性和易用性，英飞凌开发出一种被称为直驱技术的概念。在这一概念中，JFET与外部低压MOSFET和专用的驱动芯片组合在一起，确保了安全的系统启动，以及快速可控的开关。
CoolSiCTM JFET集成了一个体二极管，其开关性能可媲美外置SiC肖特基势垒二极管。这种组合最大限度提高了器件的效率、可靠性、安全性和易用性。
在全球半导体产业加速迭代的背景下，三星电子日前披露了其第六代10纳米级DRAM（1c DRAM）的产能规划方案。根据产业研究机构TechInsights于2023年8月22日发布的行业简报，这家韩国科技巨头正在同步推进华城厂区和平泽P4基地的设备升级工作，预计将于2023年第四季度形成规模化量产能力。这项技术的突破不仅标志着存储芯片制程进入新纪元，更将直接影响下一代高带宽存储器（HBM4）的市场格局。
全球领先的物联网设备制造商MOKO SMART近期推出基于Nordic Semiconductor新一代nRF54L15 SoC的L03蓝牙6.0信标，标志着低功耗蓝牙（BLE）定位技术进入高精度、长续航的新阶段。该方案集成蓝牙信道探测（Channel Sounding）、多协议兼容性与超低功耗设计，覆盖室内外复杂场景，定位误差率较传统方案降低60%以上，同时续航能力突破10年，为智慧城市、工业4.0等场景提供基础设施支持。
半导体行业风向标企业亚德诺（ADI）最新财报引发市场深度博弈。尽管公司第三财季营收预期上修至27.5亿美元，显著超出市场共识，但受关税政策驱动的汽车电子产品需求透支风险显露，致使股价单日重挫5%。这一背离现象揭示了当前半导体产业面临的复杂生态：在供应链重构与政策扰动交织下，短期业绩爆发与长期可持续增长之间的矛盾日益凸显。
根据国际权威市场研究机构Canalys于5月23日发布的调研报告，2025年第一季度全球可穿戴腕带设备市场呈现显著增长态势，总出货量达到4660万台，较去年同期增长13%。这一数据表明，消费者对健康监测、运动管理及智能互联设备的需求持续升温，行业竞争格局亦同步加速重构。
2025年5月23日，全球领先的半导体与电子元器件代理商贸泽电子（Mouser Electronics）宣布，正式开售Raspberry Pi新一代RP2350微控制器。作为RP2040的迭代升级产品，RP2350凭借双核异构架构（Arm Cortex-M33 + RISC-V）、硬件级安全防护及工业级性价比，重新定义了中高端嵌入式开发场景的技术边界。该芯片通过多架构动态切换、可编程I/O扩展及4MB片上存储等创新设计，解决了传统微控制器在实时响应能力、跨生态兼容性与安全成本矛盾上的核心痛点，为工业自动化、消费电子及边缘AI设备提供了更具竞争力的底层硬件方案。
