发布时间：2012-10-29 阅读量：665 来源: 我爱方案网 作者:
科锐无线射频销售与市场总监 Tom Dekker 表示：“与同频率范围的 GaAs 晶体管相比，科锐0.25微米GaN HEMT裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效率的综合功率方案，从而提升固态功率放大器在 C 波段、X 波段以及 Ku 波段的性能。”
主要的市场应用包括航海雷达、医疗成像、工业及卫星通信等领域。与 GaAs 晶体管相比，固态放大器具有更高的可靠性、更低的成本以及更卓越的效率，并且能够缩小功率放大器和电源的体积。GaN HEMT 功率放大器的高效率能够有效地降低发射机的功率消耗。
科锐无线射频业务发展经理 Ray Pengelly 表示：“科锐0.25微米GaN HEMT产品拥有突破性的性能，效率和带宽的显著提高实现了GaAs晶体管所不能达到的晶体管性能水平。例如，开关模式的高功率放大器（HPA）能够在微波频率段提供超过80%的功率附加效率。在功率超过10W时，GaN HEMT HPA 的瞬时带宽可达6至18GHz。0.25微米 GaN 产品所提供的卓越性能使得系统工程师能够重新设计 GaAs 晶体管和行波管。”
在40V 漏极电压和Ku 波段工作频率范围内，全新 GaN HEMT 裸芯片产品 CGHV1J006D、CGHV1J025D 以及 CGHV1J070D 的额定输出功率分别为6W、25W 和70W。 新型碳化硅衬底氮化镓裸芯片产品系列采用科锐专利技术，同时可扩展性的大信号器件模型能够与安捷伦公司的 Advanced Design System 以及 AWR 公司的 Microwave Office 模拟平台相兼容，因此无线射频设计工程师能够准确地模拟先进的射频放大器电路，从而显著缩短设计周期并实现更高微波频率。0.25微米碳化硅衬底氮化镓 HEMT 工艺具有业界领先的可靠性，并能够在 40V 的漏极电压下工作。当通道温度高达225 摄氏度时，平均无故障运行时间超过一百万小时。
近期，日本半导体巨头瑞萨电子宣布放弃使用碳化硅（SiC）生产功率半导体的计划，并解散了位于群马县高崎工厂的SiC芯片生产团队。该公司原计划于2025年初投产，但由于电动汽车市场需求下滑、中国芯片制造商产能扩张以及行业竞争加剧，瑞萨电子认为该业务难以实现盈利。
近日，据《金融时报》报道，英伟达（NVIDIA）及其合作伙伴，包括鸿海、英业达、戴尔和纬创等，已成功解决Blackwell AI服务器GB200系列的多项技术难题，并开始批量出货。此前，该产品因散热、液冷系统及芯片互联问题导致生产延迟，但供应链现已调整优化，产能正快速爬升。
在COMPUTEX 2025展会上，Arm宣布其架构已占据全球顶尖云服务商近50%的算力出货量，同时预计PC与平板市场的Arm架构占比将达40%。这一成绩远超行业预期，通常新架构的普及需要更长时间，但Arm凭借AI计算需求、能效优势及软件生态的快速适配，实现了高速增长。
贸泽电子于2025年5月30日全球首发BeagleBoard CC33无线模组（BM3301系列）。该模块基于TI第10代CC3301芯片设计，支持2.4GHz Wi-Fi 6与BLE 5.4双模通信，具备-40℃至+85℃工业级工作温度范围。提供两种封装形态：13×13mm BGA封装的BM3301-1313（兼容TI WL18xxMOD系列）与12×16mm M.2封装的BM3301-1216（集成IPEX Gen 4天线接口），为不同应用场景提供灵活部署方案。
Sycamore-W是xMEMS Labs于2025年5月推出的专为腕戴设备设计的全球最薄全硅MEMS扬声器，尺寸仅20×4×1.28毫米，厚度1毫米，重量150毫克（约传统扬声器的1/20）。其采用压电MEMS技术，通过超声波声学平台实现全频段声音输出，为智能手表、运动手环等空间受限设备提供高保真音质（µFidelity™），同时通过IP58防护等级和10,000g抗冲击性能满足户外运动场景需求。
