发布时间：2012-10-29 阅读量：713 来源: 我爱方案网 作者:
科锐无线射频销售与市场总监 Tom Dekker 表示：“与同频率范围的 GaAs 晶体管相比，科锐0.25微米GaN HEMT裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效率的综合功率方案，从而提升固态功率放大器在 C 波段、X 波段以及 Ku 波段的性能。”
主要的市场应用包括航海雷达、医疗成像、工业及卫星通信等领域。与 GaAs 晶体管相比，固态放大器具有更高的可靠性、更低的成本以及更卓越的效率，并且能够缩小功率放大器和电源的体积。GaN HEMT 功率放大器的高效率能够有效地降低发射机的功率消耗。
科锐无线射频业务发展经理 Ray Pengelly 表示：“科锐0.25微米GaN HEMT产品拥有突破性的性能，效率和带宽的显著提高实现了GaAs晶体管所不能达到的晶体管性能水平。例如，开关模式的高功率放大器（HPA）能够在微波频率段提供超过80%的功率附加效率。在功率超过10W时，GaN HEMT HPA 的瞬时带宽可达6至18GHz。0.25微米 GaN 产品所提供的卓越性能使得系统工程师能够重新设计 GaAs 晶体管和行波管。”
在40V 漏极电压和Ku 波段工作频率范围内，全新 GaN HEMT 裸芯片产品 CGHV1J006D、CGHV1J025D 以及 CGHV1J070D 的额定输出功率分别为6W、25W 和70W。 新型碳化硅衬底氮化镓裸芯片产品系列采用科锐专利技术，同时可扩展性的大信号器件模型能够与安捷伦公司的 Advanced Design System 以及 AWR 公司的 Microwave Office 模拟平台相兼容，因此无线射频设计工程师能够准确地模拟先进的射频放大器电路，从而显著缩短设计周期并实现更高微波频率。0.25微米碳化硅衬底氮化镓 HEMT 工艺具有业界领先的可靠性，并能够在 40V 的漏极电压下工作。当通道温度高达225 摄氏度时，平均无故障运行时间超过一百万小时。
日本政府支持的半导体企业Rapidus于7月18日宣布，已成功试产国内首个2nm晶体管，标志着该国在先进芯片制造领域取得关键突破。这一进展是日本耗资5万亿日元（约合340亿美元）半导体复兴计划的重要里程碑，旨在重塑其在全球芯片产业链中的竞争力。
在2025年RISC-V中国峰会的“高性能计算分论坛”上，Andes晶心科技CEO林志明正式发布了公司最新一代64位RISC-V处理器IP——AX66。该产品基于RISC-V国际基金会最新批准的RVA23 Profile标准，专为高性能计算（HPC）、AI加速及边缘计算等场景优化，标志着RISC-V生态在高性能计算领域的进一步成熟。
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