发布时间：2012-10-30 阅读量：738 来源: 我爱方案网 作者:
恩智浦半导体全球照明解决方案产品线总经理 Ryan Zahn 先生表示，“无论室内还是户外，全世界商业、工业和街道照明应用对高功率 LED 解决方案的要求越来越苛刻。SSL4120 单个芯片集成了功率因数校正控制器和半桥谐振转换器，为市场的高效能 LED 驱动器和电源设计提供了优雅、经济的解决方案。”
SSL4120 的主要特性
·单芯片集成 PFC 和半桥谐振转换器 (HBC) 控制器
·专为 75 至 400 W 的高功率 LED 应用设计
·真正从 90 至 305 V 的通用市电操作
·低 THD (˂10%) 和高 PF (˃0.97)
·谐振拓扑和谷底/零电压切换实现高效能 (>93%)
·380 kHz 典型 PFC 频率符合 THD 法律法规要求
·外形紧凑，可以使用最少的外部元器件启动最高效的设计
·PFC 处于可实时控制的临界工作模式
·HBC 突发脉冲开关
·全方位的保护，包括过流保护 (OCP)、过压保护 (OVP)、消磁检测、开路保护、电容模式保护和通用闭锁保护输入，即使在恶劣的操作情况下，也能保证安全工作。
上市时间
SSL4120 谐振控制器是恩智浦最新高功率 LED 驱动器芯片，目前已量产，样品也即将面市。其他高功率 LED 绿色芯片解决方案还包括屡获殊荣的 SSL4101，这是一款集成 PFC 返驰控制器，适应功率范围为 25 至 150 W。
据The Verge等多家权威媒体报道，英伟达（NVIDIA）正联合联发科开发基于Arm架构的AI PC处理器，预计2025年底至2026年初正式推出。该芯片将整合Arm CPU核心与新一代Blackwell GPU架构，首款搭载设备已确认由戴尔旗下高端电竞品牌Alienware首发，目标直指高性能游戏本市场。
纳芯微电子最新推出的NSD2622N是一款针对增强型氮化镓（E-mode GaN）功率器件优化的高压半桥驱动芯片。该芯片通过创新性地集成正负压稳压电路（可调5V-6.5V正压与固定-2.5V负压）与高可靠性电容隔离技术，完美解决了GaN器件在高压大功率场景下易受串扰误导通、驱动电路设计复杂等核心痛点。其支持自举供电、超强200V/ns dv/dt抗扰能力以及2A/-4A峰值驱动电流，显著简化了系统设计，提升了电源效率和可靠性，为人工智能数据中心电源、光伏微型逆变器、车载充电机等高增长领域提供了极具竞争力的驱动解决方案。
在“双碳”目标驱动下，光伏组件功率持续提升（2025年主流组件功率突破700W），对旁路二极管的性能要求显著提高。华润微电子功率器件事业群（PDBG）基于肖特基二极管领域的技术积累，推出第二代180mil TMBS（Trench MOS Barrier Schottky）器件。该产品通过优化正向压降（VF）、反向漏电流（IR） 及高温工作特性，解决了高功率组件在热斑效应、高温环境下的可靠性痛点，目前已向天合、晶澳、晶科等头部光伏企业批量供货。
全球智能手机巨头三星电子正积极推动其人工智能服务多元化战略。权威消息显示，该公司已进入与美国AI搜索新锐Perplexity深度合作的最终谈判阶段，计划在明年初发布的Galaxy S26系列中整合其尖端技术。此举标志着消费电子行业头部玩家正加速构建独立于传统搜索引擎巨头的AI生态体系。
据TrendForce集邦咨询统计，2025年第一季度全球DRAM产业营收达270.1亿美元，较上季度缩减5.5%。此轮下滑主要受两大因素驱动：一是标准型DRAM合约价持续走低，二是高带宽内存（HBM）出货规模阶段性收缩。市场进入技术转换关键期，三大原厂制程升级导致产能结构性调整，为二线厂商创造了新的市场机遇。
