意法半导体与奥迪合作进行汽车半导体开发

发布时间:2012-10-31 阅读量:655 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】意法半导体自1987年成立以来始终专注于汽车电子技术的研发和创新,最近与奥迪宣布建立战略合作关系,共同开发汽车半导体解决方案,在三个关键设计领域展开技术合作:降低二氧化碳(CO2)排放量、安全防盗、信息娱乐和舒适性设备。

意法半导体自1987年成立以来始终专注于汽车电子技术的研发和创新,最近与奥迪宣布建立战略合作关系,共同开发先进半导体解决方案,推进汽车电子技术的创新发展。

意法半导体卡罗伯佐提(图左),奥迪电力电子Ricky Hudi(图右)
图一 意法半导体卡罗伯佐提(图左),奥迪电力电子Ricky Hudi(图右)

奥迪与意法半导体将共同开发汽车半导体解决方案,在三个关键设计领域展开技术合作:降低二氧化碳(CO2)排放量、安全防盗、信息娱乐和舒适性设备。双方的合作目的是积极推进汽车技术创新,同时保证产品质量和及时供货,缩短产品研发周期。

奥迪电力电子总工程师Ricky Hudi表示:“与意法半导体合作是我们先进半导体项目(PSCP)的组成部分,将进一步加强我们在创新的‘白盒’电子领域的参与,提高我们对此项技术的要求。意法半导体拥有广泛的技术组合和制造能力,对汽车行业的承诺已经市场验证,我们自然选择了意法半导体。”

意法半导体执行副总裁兼汽车产品部总经理Marco Monti表示:“能够被奥迪这样受全球尊敬且具有创新力的汽车品牌邀请合作,共同为客户制造令人兴奋的新型汽车,我们感到非常高兴。先进半导体项目明确代表了奥迪的创新承诺,以及汽车行业中真正的合作伙伴态度是成功的前提条件。与客户建立合作伙伴关系是我们的重要资产之一,这在我们公司已有25年的历史。归功于奥迪的创新观点——半导体是汽车业界真正的创新推动者,我们正在扩大汽车电子业务,更紧密地与汽车厂商合作。”

编辑说明
行业分析机构的定期报告显示,汽车内的电子元器件和半导体比例正在不断增加。据IHS iSuppli推算,全球汽车半导体收入超过250亿美元。半导体技术已进入汽车系统的核心部件,从使汽车保持最佳性能且降低废气排放的先进发动机管理,到先进安全系统和底盘,如防抱死制动系统、稳定控制系统和安全气囊,再到舒适系统,如车身控制、气候控制和信息娱乐,都能看到半导体的技术在其中发挥重要作用。

未来的汽车工业需要汽车半导体技术快速发展。以先进驾驶辅助系统和导航系统使用的视频处理器为例,这些设备必须提高系统级芯片的集成度,应用最先进的半导体生产节点,如28纳米 CMOS先进制造技术。最终目标是汽车实现全电气化,从简单的机油泵,到电牵引力主发动机,所有负载控制全部实现电子化。

在意识到这些市场需求具有极大挑战性后,奥迪和意法半导体决定整合奥迪的OEM应用知识和意法半导体的先进半导体技术、设计能力、IP和制造工艺开发先进的汽车半导体产品。意法半导体的技术研发能力覆盖多个汽车设计领域,如独有的BCD?智能功率、先进CMOS、嵌入式闪存、非易失性存储器、 VIPowerTM等电机控制技术;先进底盘控制、安全系统和导航设备使用的LED照明控制、功率分立器件(低压和高压硅器件、SiC、GaN)、 CMOS影像传感器、MEMS运动传感器。意法半导体强大的制造能力可生产上述所有的汽车半导体产品。
相关资讯
英伟达携Arm架构AI芯片进军PC市场,游戏本市场或迎技术革命

据The Verge等多家权威媒体报道,英伟达(NVIDIA)正联合联发科开发基于Arm架构的AI PC处理器,预计2025年底至2026年初正式推出。该芯片将整合Arm CPU核心与新一代Blackwell GPU架构,首款搭载设备已确认由戴尔旗下高端电竞品牌Alienware首发,目标直指高性能游戏本市场。

纳芯微NSD2622N:专为高压GaN而生的高集成驱动芯片,破解系统设计难题

纳芯微电子最新推出的NSD2622N是一款针对增强型氮化镓(E-mode GaN)功率器件优化的高压半桥驱动芯片。该芯片通过创新性地集成正负压稳压电路(可调5V-6.5V正压与固定-2.5V负压)与高可靠性电容隔离技术,完美解决了GaN器件在高压大功率场景下易受串扰误导通、驱动电路设计复杂等核心痛点。其支持自举供电、超强200V/ns dv/dt抗扰能力以及2A/-4A峰值驱动电流,显著简化了系统设计,提升了电源效率和可靠性,为人工智能数据中心电源、光伏微型逆变器、车载充电机等高增长领域提供了极具竞争力的驱动解决方案。

光伏组件旁路保护的技术革新:华润微TMBS 180mil G2深度解析

在“双碳”目标驱动下,光伏组件功率持续提升(2025年主流组件功率突破700W),对旁路二极管的性能要求显著提高。华润微电子功率器件事业群(PDBG)基于肖特基二极管领域的技术积累,推出第二代180mil TMBS(Trench MOS Barrier Schottky)器件。该产品通过优化正向压降(VF)、反向漏电流(IR) 及高温工作特性,解决了高功率组件在热斑效应、高温环境下的可靠性痛点,目前已向天合、晶澳、晶科等头部光伏企业批量供货。

移动AI大洗牌:三星联手Perplexity剑指谷歌霸主地位

全球智能手机巨头三星电子正积极推动其人工智能服务多元化战略。权威消息显示,该公司已进入与美国AI搜索新锐Perplexity深度合作的最终谈判阶段,计划在明年初发布的Galaxy S26系列中整合其尖端技术。此举标志着消费电子行业头部玩家正加速构建独立于传统搜索引擎巨头的AI生态体系。

2025年Q1全球DRAM市场深度解析:技术迭代引发厂商格局重构

据TrendForce集邦咨询统计,2025年第一季度全球DRAM产业营收达270.1亿美元,较上季度缩减5.5%。此轮下滑主要受两大因素驱动:一是标准型DRAM合约价持续走低,二是高带宽内存(HBM)出货规模阶段性收缩。市场进入技术转换关键期,三大原厂制程升级导致产能结构性调整,为二线厂商创造了新的市场机遇。