瑞芯微将针对国产平板推A9四核芯片

发布时间:2012-11-1 阅读量:888 来源: 我爱方案网 作者:

导读:据透露,今年底瑞芯微将推出28nm HKMG(High-K Metal Gate低电技术)的A9四核芯片,主频达1.8GHz。相比目前主流的28nm工艺PLOY/SiON栅极技术,HKMG高k金属栅栏技术的节点制程更小,能容纳的晶体管更多,也更加省电。

目前国内市场上已经出现多款四核平板产品,它们大多采用三星、nVidia、华为和全志等厂商的芯片组。

其中,三星Exynos 4412、nVidia Tegra 3、华为海思K3V2采用的是四核A9架构,成本较高;全志推出的四核芯片采用A7架构,但在性能上比A9产品稍差。瑞芯微也放出了关于四核芯片的消息。
 
据透露,今年底瑞芯微将推出28nm HKMG(High-K Metal Gate低电技术)的A9四核芯片,主频达1.8GHz。相比目前主流的28nm工艺PLOY/SiON栅极技术,HKMG高k金属栅栏技术的节点制程更 小,能容纳的晶体管更多,也更加省电。28nm HKMG的功耗比40nm的PLOY/SiON低了30~40%,可以在保证低功耗同时提供充足的性能。目前上游厂商已逐渐克服28nm的hkmg成品率 不高的问题,开始量产应用。从工艺发展看,poly/Sion最终要被hkmg取代。

预计瑞芯微四核芯片发布之后,国内平板厂商会相继推出四核产品,对目前的平板市场带来一定程度冲击。届时,四核平板的价格很可能会迅速降到千元之内。

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