瑞芯微将针对国产平板推A9四核芯片

发布时间:2012-11-1 阅读量:913 来源: 我爱方案网 作者:

导读:据透露,今年底瑞芯微将推出28nm HKMG(High-K Metal Gate低电技术)的A9四核芯片,主频达1.8GHz。相比目前主流的28nm工艺PLOY/SiON栅极技术,HKMG高k金属栅栏技术的节点制程更小,能容纳的晶体管更多,也更加省电。

目前国内市场上已经出现多款四核平板产品,它们大多采用三星、nVidia、华为和全志等厂商的芯片组。

其中,三星Exynos 4412、nVidia Tegra 3、华为海思K3V2采用的是四核A9架构,成本较高;全志推出的四核芯片采用A7架构,但在性能上比A9产品稍差。瑞芯微也放出了关于四核芯片的消息。
 
据透露,今年底瑞芯微将推出28nm HKMG(High-K Metal Gate低电技术)的A9四核芯片,主频达1.8GHz。相比目前主流的28nm工艺PLOY/SiON栅极技术,HKMG高k金属栅栏技术的节点制程更 小,能容纳的晶体管更多,也更加省电。28nm HKMG的功耗比40nm的PLOY/SiON低了30~40%,可以在保证低功耗同时提供充足的性能。目前上游厂商已逐渐克服28nm的hkmg成品率 不高的问题,开始量产应用。从工艺发展看,poly/Sion最终要被hkmg取代。

预计瑞芯微四核芯片发布之后,国内平板厂商会相继推出四核产品,对目前的平板市场带来一定程度冲击。届时,四核平板的价格很可能会迅速降到千元之内。

“2012 年11月市场情报之平板电脑篇”是我爱方案网编辑精心整理平板电脑市场最新情报,内容涵盖海外最新市场状况、最新市场研究简报、供应商最新动态以及未来发 展趋势的深度解析,以帮助读者快速预知市场风险、把握市场机遇以并作出最明智的产品和市场决策。如欲了解全部内容,请点击下载PDF版!

点击下载

相关资讯
日本Rapidus突破2nm芯片技术,挑战台积电三星霸主地位

日本政府支持的半导体企业Rapidus于7月18日宣布,已成功试产国内首个2nm晶体管,标志着该国在先进芯片制造领域取得关键突破。这一进展是日本耗资5万亿日元(约合340亿美元)半导体复兴计划的重要里程碑,旨在重塑其在全球芯片产业链中的竞争力。

RISC-V架构突破性能瓶颈,Andes发布新一代AX66处理器IP

在2025年RISC-V中国峰会的“高性能计算分论坛”上,Andes晶心科技CEO林志明正式发布了公司最新一代64位RISC-V处理器IP——AX66。该产品基于RISC-V国际基金会最新批准的RVA23 Profile标准,专为高性能计算(HPC)、AI加速及边缘计算等场景优化,标志着RISC-V生态在高性能计算领域的进一步成熟。

1 GHz实时扫描革新EMC测试:是德科技PXE接收机技术解析

随着电子设备复杂度的提升和产品开发周期的缩短,电磁兼容性(EMC)测试已成为制造商面临的关键挑战。传统EMI测量方法效率低下,难以捕捉瞬态干扰信号,导致测试周期延长、成本增加。是德科技(Keysight Technologies)推出的新一代PXE电磁干扰(EMI)测量接收机,通过突破性的1 GHz实时无间隙扫描技术,将测试速度提升3倍,显著优化了EMC认证流程,为工程师提供了更高效、精准的测试解决方案。

亚马逊AWS部门启动战略性裁员,生成式AI推动云业务重组

全球电商及云计算巨头亚马逊近日对其核心利润引擎——亚马逊网络服务(AWS)部门实施新一轮裁员。据公司内部消息人士透露,本次调整涉及销售、市场及技术解决方案团队,受影响岗位达数百人。这是继4月影视与硬件部门优化后,亚马逊2024年内第三次公开披露的裁员计划,反映出企业在人工智能浪潮下的持续业务重塑。

圣邦微电子SGM42203Q:高性能汽车级双通道高边驱动解决方案

随着汽车电子化程度不断提高,高边驱动器(High-Side Driver)在车身控制模块(BCM)、LED照明、电机驱动等应用中发挥着关键作用。圣邦微电子(SG Micro)推出的SGM42203Q是一款专为汽车电子设计的24V双通道高边驱动器,具备模拟电流检测、高可靠性及智能保护功能,可广泛应用于电阻性、电容性和电感性负载驱动。本文将深入解析该产品的技术优势、市场竞争力及典型应用场景。