Micron提升DDR3性能，传输速度达2133 MT/s

世界领先的先进半导体解决方案供应商之一，Micron Technology， Inc.，近日推出新一代1GHz，2Gb和4Gb、30纳米DDR3设备，进一步扩展了该公司的DDR3产品组合。该新设备旨在用于高性能网络和独立显卡的市场，拥有业内领先的低功耗设计，同时其传输速度高达2133 MT/s（百万次传输/每秒）。

Micron以其在符合高性能、经济高效内存解决方案的DRAM和非易失性存储设备方面广阔的产品组合，支持其处于激烈竞争的细分市场中的客户。“Micron已成功建立了完整的DRAM产品组合，并且提供了业内最广泛的DRAM产品”， iSuppli 的DRAM和内存资深分析师Mike Howard说到。

新一代DDR3设备采用最新的SoC/GPU技术，为需求、性能驱动的独立显卡和高速网络市场而优化，以满足其日益增加的带宽要求。业内领先的AMD和LSI成为该产品最新的技术和IP合作伙伴，在开发过程中与Micron密切合作。Micron依靠其生态系统合作伙伴开发出可靠并兼容性的重要产品，节省了产品投入市场的时间并降低成本。

“大量的数据增长不断对存储和网络设备造成压力，伴随该增长的竞争需要高性能的内存接口以满足系统带宽要求” ， LSI SerDes 和DDR IP产品经理Harold Gomard说到。“Micron广泛的内存产品系列及其1GHz 2Gb和4Gb DDR3内存模块确保LSI能够满足企业、云网络和存储客户的需要” 。

“我们不断为重视性能的图形市场建立广泛的产品组合” ，AMD图形公司副总裁兼总经理Matt Skynner说到。“我们期待通过使用Micron新一代DDR3设备获得更高的性能” 。

除了满足独立显卡和网络细分市场外，Micron将提供传输速度为2133 MT/s的模块，包括专门针对网络的ECC UDIMM。

“高速DDR3将在2012年及以后成为主流图形和高性能网络市场的强势产品。Micron准备利用我们在大容量、经济高效的DDR3产品和开发这些高性能DDR3设备上的经验支持这些要求”，Micron DRAM市场副总监Robert Feurle说到。“把我们先进的处理技术以及对图形和高端计算市场的承诺相结合已被证明是非常成功的，这些新一代30纳米2Gb和4Gb DDR3产品将不断在这一承诺下交付使用”。

现已有Micron新一代高性能、低功耗DDR3设备的样本，并将在夏季开始大规模生产。