发布时间：2012-12-6 阅读量：620 来源: 我爱方案网 作者:
10月份9N太阳能多晶硅现货市场价格下跌9%以上，而合同价格下跌约1%。6N至8N多晶硅的现货市场价格下跌7%，合同价格跌逾8%。太阳能多晶硅市场继续保持需求疲软和价格普遍下跌的局面。自从1月以来，该市场就处于这种格局之中。
10月份全球多晶硅需求下滑，合同与现货市场的出货量均减少。不仅10月总体出货量比9月减少了14%，供应与库存水平也出现下滑，因为二线与三线中国供应商降低产量。但是，产量削减幅度不足以让供需实现平衡。
太阳能多晶硅的现货市场价格可能在2013年初触底并随后小幅上涨。但这种表面上的好转可能为时短暂，驱动价格的是对于市场形势改善的预期，而不是供需真正实现了平衡。
总之，2012年12月和2013年1月，6N至8N的太阳能多晶硅现货市场价格预计上涨2.4%，这将是2012年1月以来的首次上涨。与9月下挫8.5%和10月下降7.0%相比，也是巨大的转变。对于9N和更高等级的多晶硅，现货市场价格在此期间将保持平稳，这将是九个月以来首次没有下跌。图2所示为IHS公司对于现货多晶硅价格的预测，按等级细分，单位是美元/公斤。
.jpg)
图2：太阳能多晶硅现货市场价格，按等级细分(价格单位：美元/公斤)
供应商正在削减产量，渠道中的库存继续消耗，多数产业人士预计需求在2013年回升。因此，太阳能多晶硅的现货市场价格将在明年初小幅上升。即便如此，现货价格仍将远低于合同市场的价格，这将促使太阳能多晶硅供应商继续降低合同价格，向现货市场看齐。总体来看，这预示供应仍将超过需求，价格将在2013年稍晚的时候恢复下滑态势。
在现货市场，多晶硅由第三方现金销售，立即交货。而在合同市场，多晶硅直接由供应商赊销，经常通过长期协议(LTA)来确定交货期与价格。
当现货市场价格低于合同市场时，预示价格将保持下跌。当现货市场价格高于合同价格时，预示供应过剩与价格下跌阶段即将结束。
在全球科技博弈背景下，美国对华AI芯片出口限制政策持续升级。腾讯总裁刘炽平在2025年第一季度财报会上明确表示，腾讯已具备应对供应链风险的充足储备与技术创新能力，标志着中国AI产业正加速走向自主化发展道路。本文结合产业动态与政策趋势，剖析中国AI产业的战略转型与突破路径。
在全球半导体产业链加速重构的背景下，荷兰半导体设备巨头ASM International（以下简称“ASM”）近期通过一系列战略调整引发行业关注。2025年5月15日，该公司宣布将通过转嫁关税成本、加速美国本土化生产及优化全球供应链，应对地缘政治风险与贸易壁垒。面对美国近期加征的“对等关税”政策（涵盖钢铁、汽车等商品，未来可能扩展至半导体领域），ASM展现出显著的供应链韧性：其亚利桑那州工厂即将投产，新加坡基地产能同步扩充三倍，形成“多区域制造网络”以分散风险。与此同时，中国市场成为其增长引擎——2025年中国区销售额或突破预期上限，占比达总营收的20%，凸显其在差异化竞争中的技术优势。这一系列举措不仅反映了半导体设备行业对关税政策的快速响应，更揭示了全球产业链从“效率优先”向“安全韧性”转型的深层逻辑。
在全球半导体产业长期被x86与ARM架构垄断的背景下，国产芯片厂商的生态自主化已成为关乎技术主权与产业安全的核心议题。北京君正集成电路股份有限公司作为中国嵌入式处理器领域的先行者，通过二十余年的技术迭代，探索出一条从指令集适配到生态重构的独特路径——早期依托MIPS架构实现技术积累，逐步向开源开放的RISC-V生态迁移，并创新性采用混合架构设计平衡技术过渡期的生态兼容性。这一转型不仅打破了国产芯片“被动跟随”的固有范式，更在智能安防、工业控制、AIoT等新兴领域实现了从“技术替代”到“生态定义”的跨越。据行业数据显示，其基于RISC-V内核的T系列芯片已占据计算芯片市场80%的份额，成为推动国产架构产业化落地的标杆。本文通过解析北京君正的架构演进逻辑，为国产半导体产业突破生态壁垒提供可复用的方法论。
5月15日，高通技术公司正式推出第四代骁龙7移动平台（骁龙7 Gen 4），以台积电4nm制程打造，性能迎来全方位升级。该平台采用创新的“1+4+3”八核架构，CPU性能较前代提升27%，GPU渲染效率提升30%，并首次支持终端侧运行Stable Diffusion等生成式AI模型，NPU算力增幅达65%。在影像领域，其搭载的三重12bit ISP支持2亿像素拍摄与4K HDR视频录制，配合Wi-Fi 7与XPAN无缝连接技术，重新定义中高端设备的创作边界。荣耀与vivo宣布首发搭载该平台的机型，预计本月上市，标志着生成式AI技术向主流市场加速渗透。
5月15日晚间，小米集团CEO雷军通过个人微博账号正式宣布，由旗下半导体设计公司自主研发的玄戒O1手机SoC芯片已完成研发验证，计划于本月下旬面向全球发布。据雷军透露，该芯片将采用业界领先的4nm制程工艺，核心性能指标已接近国际旗舰水平。
