友尚推出TI 马达解决方案与感测产品组合

发布时间:2014-08-20 阅读量:823 来源: 发布人:

【导读】DRV5000 霍尔效应传感器系列属于 TI 不断增长的感测产品组合,该组合包括业界首款电感至数字转换器以及针对温度、电流、压力、用户感测与光感测等应用的传感器与讯号调节解决方案。

德州仪器 (TI) 宣布推出最新系列的霍尔效应磁传感器,可达到从位置检测到马达控制的各种工业应用需求,进一步增强了 TI 马达解决方案与感测产品组合。稳固的全面保护型 DRV5000 传感器产品包括数字锁存器、数字开关以及模拟双极输出选项,适用于无刷 DC (BLDC) 马达控制、居家安全、工业阀与阻尼器位置传感器、速度与位置控制回路以及流量计等各种应用。如欲了解有关 DRV5000 系列的更多详情,敬请参访:www.ti.com/hallsensors-pr-tw。

展示板照片

展示板照片


DRV5000 霍尔效应传感器系列属于 TI 不断增长的感测产品组合,该组合包括业界首款电感至数字转换器以及针对温度、电流、压力、用户感测与光感测等应用的传感器与讯号调节解决方案。

DRV5000 系列的特性与优势:


•支持各种应用:截波稳定装置系列包括数字锁存器、数字开关以及模拟双极输出选项,支持 2.5V 至 38V 应用;
•高可靠性:所有装置都有高达 -22V 的反向电源保护,能承受高达 40V 的瞬时电压;
•可用于现有设计:采用两种业界标准封装所提供的 3 接脚装置,可兼容于现有设计架构;
•温度稳定性:能支持 -40 度 C 至 125 度 C 的温度,在整个温度范围内磁灵敏度变化极小。

线路图


线路图

除最新霍尔效应传感器系列外,TI 还在 TI Designs 数据库中推出了两款最新参考设计,其可简化并加速马达驱动器电路板设计。这两款设计采用 DRV5013 霍尔效应传感器、最新 DRV8307 或 DRV8308 BLDC 马达闸极以及 3 个 CSD88537ND 60V 双 NexFET™ 功率 MOSFET 及其他所需电路,有助于工程师快速实现设计,甚至在不需要控制的情况下取消微控制器。

方案方块图

方案方块图

TI 马达驱动器产品总经理 Keith Ogboenyiya 表示,该最新霍尔传感器系列是 TI 丰富传感器产品组合中的强大新力军,进一步增强了 TI 为马达控制提供稳健解决方案的实力。随着马达不断向前所未有的更多、更小型化应用扩展,TI 始终致力于为工业、汽车以及大型家用电器提供完整的马达解决方案。

•12V 及 24V 无刷 DC 外转轮马达参考设计:这款 6 公分马达采用 DRV8307 BLDC 控制器、闸极驱动器以及驱动器电子组件,可直接安装运转。该设计支持 8.5V 至 32V 电压以及 5.2A 电流,可轻松修改以满足特定系统需求。

•速度控制型 24V 无刷 DC 外转轮马达参考设计:DRV8308 BLDC 控制器、闸极驱动器加上死循环速度控制,可在整个运动范围内保持准确的每分钟转速。无需微控制器或硬件,智能正弦电流驱动器可最大限度地降低噪声与转矩涟波,进而可最大化马达效能。
相关资讯
全球组织瘦身:英特尔启动新一轮裁员应对业绩挑战与战略转型

英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息,其核心制造部门——英特尔代工厂(Intel Foundry)的“初步”裁员已于7月中旬展开,预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调,该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”,此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。

全球DRAM产业加速转向DDR5,美光正式启动DDR4停产计划

全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕,标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后,美光也正式向核心客户发出通知,确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。

三星试产115英寸RGB MicroLED电视,高端显示技术再升级

据行业消息,三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程,标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED",但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视(LCD),通过创新背光方案实现画质跃升。

AMD与三星深化AI芯片合作,HBM3E加速量产推动AI服务器升级

AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布,其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份,标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计,仅在散热方案上存在差异,均配备288GB HBM3E内存,较上一代MI300X的192GB提升50%,比MI325X提升12.5%。

舜宇光学5月出货数据解析:车载业务强势增长,高端化战略重塑手机业务格局

全球光学龙头舜宇光学科技(02382.HK)近期披露2025年5月出货量数据,呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下,公司业务版图正经历深度调整。