应用PL2101的单片机低压电力线载波通信接口扩展方案

发布时间:2014-11-14 阅读量:810 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】 早期的低压电力线载波通信芯片的接口电路相对复杂、抗干扰能力差,且多为国外产品,性价比低,因此,单片机系统较少采用低压电力线载波通信。随着通信技术的发展,新型低压电力线载波通信接口芯片解决了以上缺点,使得单片机系统采用低压电力线载波通信变得简单易用。

早期的低压电力线载波通信芯片的接口电路相对复杂、抗干扰能力差,且多为国外产品,性价比低,因此,单片机系统较少采用低压电力线载波通信。随着通信技术的发展,新型低压电力线载波通信接口芯片解决了以上缺点,使得单片机系统采用低压电力线载波通信变得简单易用。

PL2101简介

PL2101采用二相相移键控,载波频率120KHz,带宽15KHz,传输速率500bps。它由单一的+5V电源供电,与单片机的接口简单,外围模拟发射/接收电路也较简单,工作时无需外接模拟混频器。PL2101内置有5种实用的功能电路:时钟电路、32 Bytes SRAM、电压监测、看门狗定时器及复位电路。其中,时钟与SRAM在主电源掉电后可由3V备用电池供电继续工作。

采用PL2101扩展单片机低压电力线载波通信接口

智能家居PL2101的单片机低压电力线的设计

硬件电路设计


PL2101的半双工收发控制端、HEAD(数据同步端)、RXD_TXD (半双工数据收发、数据输入/输出端)引脚用于与单片机、DSP处理器收发数据,实现低压电力线载波通信功能;PL2101内部的寄存器采用标准I2C接口(由SCL、SDA引脚组成进行操作;另外,PL2101的 WDI(看门狗计数器清零输入端)、 RESET(上电及看门狗计数器溢出复位输出端)和PFo(电源掉电指示端)用于单片机对PL2101的工作状态监测。

采用PL2101为MSP430单片机扩展低压电力线载波通信接口的原理。PL2101和MSP430F149的接口部分,PL2101的外围模拟发射/接收电路可参考芯片手册的典型电路。使用MSP430F149的P1口与PL2101的8个引脚连接。使用MSP430F149具有中断功能的 P1口的引脚P1.6连接HEAD,以实现在中断方式下发送/接收PL2101的数据;由于MSP430F149未集成I2C总线接口,因此,MSP430F149通过P1.2、P1.3引脚软件模拟I2C时序来访问PL2101的内部寄存器;另外,由于MSP430F149采用3.3V逻辑电平,PL2101采用5V COMS逻辑电平,因此不能直接连接引脚,需要进行电平转换。

数据收发软件设计

MSP430F149只需对P1口操作就可以通过PL2101进行数据收发,实现与其它单片机的低压电力线载波通信。

单片机对PL2101的发送/接收数据工作时序。当PL2101相对单片机处于发射态时,PL2101由 HEAD的上升沿对内部解调的数据进行锁存输出,外部单片机可在HEAD的下降沿后读取PL2101从电力线接收到的数据。而当PL2101处于接收态时,PL2101在 HEAD的上升沿对RXD_TXD的数据进行锁存,可让外部单片机在 HEAD的下降沿后将数据置于RXD_TXD引脚,由PL2101发送到电力线上。

MSP430F149接收数据流程。程序采用子程序形式,采用中断方式接收数据。MSP430F149发送数据流程与接收流程相似,可以看出,通过PL2101发送/接收数据的软件设计比较简单。

PL2101配置及监控软件设计


PL2101的配置通过对其内部寄存器的操作来实现。PL2101上电复位后,除写保护寄存器外,其它寄存器均处于写保护状态。单片机系统对PL2101上电复位后,应先向PL2101的写保护寄存器写1xxx xxxx B以打开写保护,再按电网特性向捕获门限寄存器写入相关数据来配置PL2101。

相关文章

单片机的智能照明控制系统的方案设计

客车安全系统采用STC89C52单片机设计与实现

基于AT89C51单片机的智能计步器设计方案
相关资讯
AI引爆芯片扩产潮:2028年全球12英寸晶圆月产能将破1100万片

国际半导体产业协会(SEMI)最新报告指出,生成式AI需求的爆发正推动全球芯片制造产能加速扩张。预计至2028年,全球12英寸晶圆月产能将达1,110万片,2024-2028年复合增长率达7%。其中,7nm及以下先进制程产能增速尤为显著,将从2024年的每月85万片增至2028年的140万片,年复合增长率14%(行业平均的2倍),占全球总产能比例提升至12.6%。

高通双轨代工战略落地,三星2nm制程首获旗舰芯片订单

据供应链消息确认,高通新一代旗舰芯片骁龙8 Elite Gen 2(代号SM8850)将首次采用双轨代工策略:台积电负责基于N3P(3nm增强版)工艺的通用版本,供应主流安卓厂商;而三星则承接其2nm工艺(SF2)专属版本,专供2026年三星Galaxy S26系列旗舰机。此举标志着高通打破台积电独家代工依赖,三星先进制程首次打入头部客户供应链。

美光2025Q3财报:HBM驱动创纪录营收,技术领先加速市占扩张

在AI算力需求爆发性增长的浪潮下,存储巨头美光科技交出超预期答卷。其2025财年第三季度营收达93亿美元,创历史新高,其中高带宽内存(HBM)业务以环比50%的增速成为核心引擎。凭借全球首款12层堆叠HBM3E的量产突破,美光不仅获得AMD、英伟达等头部客户订单,更计划在2025年末将HBM市占率提升至24%,直逼行业双寡头。随着下一代HBM4基于1β制程的性能优势验证完成,一场由技术迭代驱动的存储市场格局重构已然开启。

对标TI TAS6424!HFDA90D以DAM诊断功能破局车载音频安全设计

随着汽车智能化升级,高保真低延迟高集成度的音频系统成为智能座舱的核心需求。意法半导体(ST)推出的HFDA80D和HFDA90D车规级D类音频功放,以2MHz高频开关技术数字输入接口及先进诊断功能,为车载音频设计带来突破性解决方案。

村田量产全球首款0805尺寸10μF/50V车规MLCC,突破车载电路小型化瓶颈

随着汽车智能化电动化进程加速,自动驾驶(AD)和高级驾驶辅助系统(ADAS)等关键技术模块已成为现代车辆标配。这些系统依赖于大量高性能电子控制单元(ECU)和传感器,导致车内电子元件数量激增。作为电路稳压滤波的核心元件,多层片式陶瓷电容器(MLCC)的需求随之水涨船高,尤其是在集成电路(IC)周边,对大容量电容的需求尤为迫切。然而,有限的电路板空间与日益增长的元件数量及性能要求形成了尖锐矛盾,元件的高性能化与小型化成为行业亟待攻克的关键难题。