应用于智能屏幕等离子体显示器的uPD16305应用方案

发布时间:2015-01-14 阅读量:896 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】等离子体显示器(Plasma Display Panel,简称PDP)是近几年发展起来的新型板显示器件,它利用气体放电产生的紫外线激发荧光粉发光显示图像。它具有超薄的外形、平面显示、高亮度、宽视解、不受磁场影响等优点,是大屏幕壁挂电视的主流发展方向。

但是,它的驱动电压高达180V,因而一些常用的显示驱动器无法满足PDP对高驱动电压的要求。例如,Supertex公司生产的用于场发射显示器(FED)的HV53/5408,只能提供90V的驱动电压。

为了降低驱动电路的成本、缩小驱动电路的体积,我们使用了NEC公司的μPD16305为核心设计的驱动电路,简单易调、点用体积小、显示效果好。下面对此芯片的性能特点测验它在PDP驱动电路的具体应用进行简要的介绍。

1 性能特点

μPD16305j NEC公司推出的专用于AC-PDP的行驱动器,它在工艺上使用高压CMOS结构。它由40位的双向移位寄存器、锁存器和高压CMOS驱动块组成。其逻辑块的供电电压为5V(CMOS电平输入),驱动块可实现200V、400mA的高电压、大电流输出。它还具有如下特点:片上集成了40位双向移位寄存器;低功耗(1mW);工作温度范围宽(-40~+85℃)。
应用于等离子体显示器的uPD16305应用方案

为了使芯片的封装形式与标准封装一致,μPD16305采用了80管脚的标准QFP塑料封装。但对芯片有用的64个管脚分别由芯片的三个方向引出,并且引脚在芯片上呈逆时针排列。其中有40个高压输出管脚、10个电源管脚、1个逻辑输入管脚和1个逻辑输出管脚、6个控制管脚以及6个空管脚。各管脚功能说明如下:

Q1~Q40(管脚1~20,45~64):高压输出端

VSS1(管脚24、41):逻辑块地

VDD1(管脚26、39):逻辑块电源

VSS2(管脚22、23、42、43):驱动块地

VDD2(管脚21、44):驱动块电源

A(管脚30):右移数据输入端/输出端

B(管脚35):左移数据输入端/输出端

R/L(管脚25):移位方向控制端,

当R/L=1时,A脚为输入端,B脚为输出端,移位寄存器执行右移功能;

当R/L=0时,B脚为输入端,A脚为输出端,移位;寄存器执行左移功能

 

PC(管脚27):极性反转控制端

CLK(管脚31):时钟输入端

CLR(管脚32):数据清除端(低有效)

STB(管脚36):锁存使能控制端,

当STB=1时,执行锁存功能;

当STB=0时,数据通过

BLK(管脚37):输出置位控制端,

当BLK=1时,输出与PC同相;

当BLK=0时,输出与PC相异或后输出

NC(管脚28、29、33、34、38、40):空管脚

为了解决高压芯片的散热问题,μPD16305将高压输出对称地放置到芯片的两端;为便于电路的安装、调试,将控制管脚放置到芯片的同一侧。ΜPD16305的功能结构可分为三部分:40位双向移位寄存器、40位锁存器和高压输出功能块。它除了有40路的高压输出以外,还有一个低压的输入和一个低压的输出。并且这两个输入输出端口都是双向的,当一个为输入时,另一个为输出,其输出是移位寄存器输入相连,可以级联驱动40路以上的显示器。对于分辨率为852×480的PDP来说,只需12片μPD16305的主要功能块。

移位寄存器、锁存器和高压输出块的真值表分别如表1、2、3所示。

应用于等离子体显示器的uPD16305应用方案

在这三部分电路中,高压输出驱动电路部分是μPD16305芯片的核心部分,它为负载提供了高电压、大电流的输出,高压输出直接驱动PDP屏的显示单元,点亮被选中的象素。图2为μPD16305高压输出驱动电路图。
应用于等离子体显示器的uPD16305应用方案

图2中,A、B、C三路信号是由同一信号(锁存器输出的信号)经过分离得到的。它们分别输入到高压输出驱动块的三个输入端,其中A和B信号反相,A和C信号同相。

当A=1、B=0、C=1时,N1、P1、N3导通,N2、P2、P3截止,输出OUT=0;

当A=0、B=1、C=0时,N2、P2、P3导通,N1、P1、N3截止,输出OUT=VDD2。

由图可知,这种输出结构不同于普通的互补输出结构。这种电路结构的优点在于:它可以用前级的数字电平,驱动后面的功率级电路,这对于普通的推挽输出结构来说,是根本达不到的。
应用于等离子体显示器的uPD16305应用方案

对于如图3所示的普通的CMOS互补输出结构,假设VDD2=200V、GND=0V、Vthn=15V、Vthp=-15V。若要使Vout=GND,即要使N管导通、P管截止,就需要满足①Vgs>Vthn;②VDD2-Vgs<-Vthp。这样,栅极电压Vgs至少应该等于VDD2+Vdtp,即Vgs至少应为200-15=185V,这就需要在芯片中加入电平转换电路,将CMOS数字电平提升到可以驱动功率管的高电平。对于40路输出的μPD16305来说,可以想象它所点的体积将是巨大的,因而不利于芯片的集成。

2 μPD16305来说,PDP驱动电路中的应用

μPD16305是一种CMOS结构的高压驱动电路,使用非常灵活。其输入可以是TTL电平,也可以是CMOS电平,高压输出调节范围可从0V~200V。其内部有一内置二极管,此二极管的阳极接在μPD16305的Vss2端,阴极接在μPD16305的VDD2端。由于PDP驱动电极(Y)波形出现有多种电压,所以驱动芯片μPD16305提供稳定、恒定的电源电压是不可能完成该波形的。解决多电源电压的方法是将μPD16305的高压电源和高压地“浮”起来运用,使驱动芯片的电源脚和地脚在不同时刻与同电压相接,从而使芯片输出符合相应的要求。

在维持期里,所有Y电极的波形完全一致。但在寻址期中扫描寻址时,各行的Y电极有效时间不同,出现有多种电压。所以在维持期和寻址期,可以通过MOS开关管的不同状态,使驱动芯片的电源脚和地脚在不同时刻与不同电压相接,以得到所需要的波形。这种连接方式降低了输出级MOS管上的电压,应用起来有很大余地。

在驱动PDP时,在维持期和寻址期的初始化阶段,利用的是μPD16305的全高或全低工作状态(可参见表3);而在寻址期的扫描阶段,利用的是μPD16305的移位工作状态,以实现逐行扫描。

μPD16305作为行驱动器使用时,控制信号与μPD16305的具体连接方式如图4所示。

应用于等离子体显示器的uPD16305应用方案

μPD16305的控制信号中,信号R/L可直接接到低压电源VDD1上。因为在驱动电路中,只在逐行扫描阶段才利用了移位功能,而且移位是在朝一个方向进行的,因此没有必要增加额外的信号产生器,将期接至某一固定电位即可。

其它的控制信号如A、CLK、STB、CLK等,可根据从PDP屏上测得的数据,用可编程逻辑器件来产生,这里我们采用的是Altera公司的FLEX10K10系列的芯片。

电源信号和地信号是通过电平转换电路驱动功率MOS开关管提供的,电平转换电路的控制时序由CPLD产生。最终产生的驱动波形如图5所示。

应用于等离子体显示器的uPD16305应用方案

在实际应用中,要确保μPD16305所有的UDD1、VDD2、Vss1、Vss2管脚都要被使用,并且Vss1和Vss2必须接到同一电位上;由于μPD16305的管脚33在芯片内部被连接到了封装外壳上,所以必须保证此管脚开路,不能使用;为了防止器件发生闩锁效应,加电源时必须按照先加VDD1、再加逻辑信号、最后加VDD2的顺序进行;关断电源时,按照相反的顺序进行操作。

相关文章

AMOLED智能显示器电源的IC简述设计

智能显示器基于LTPS的低温多晶硅技术及优势分析方案

智能眼镜柔性纳米像素显示器的设计
相关资讯
全球芯链共融:新质生产力驱动工业数字化转型新格局

2025年5月14日,全球半导体分销巨头大联大控股在深圳成功举办以「新质工业·引领未来」为主题的峰会,汇聚英飞凌、意法半导体、瑞芯微等16家顶尖原厂及逾500名行业精英。面对全球制造业智能化、低碳化转型浪潮,此次峰会聚焦人工智能、边缘计算、电力电子等新质生产力的技术融合,通过主论坛、分论坛及技术展区三大板块,全方位展示从芯片设计到系统集成的全产业链创新方案。中国工业增加值连续三年稳步增长(2023年4.6%、2024年5.7%、2025年一季度6.5%),印证了“新质工业时代”的全面开启。大联大中国区总裁沈维中在开幕致辞中强调,中国制造业正以技术韧性重构全球供应链,而半导体技术的全链路赋能将成为驱动产业升级的核心引擎。

体积缩小37.7%!看LM-R2S系列如何重塑工业电源格局

根据金升阳官方技术白皮书数据显示,其最新发布的LM-R2S系列机壳开关电源通过8项核心技术创新,实现了工业供电设备在功率密度、环境耐受性及能效表现的三维突破。作为LM-R2系列的迭代产品,该系列解决了传统工业电源在设备小型化与复杂工况适配性之间的矛盾,为智能制造升级提供了高可靠性的供电保障。

存储器市场回暖驱动威刚科技2025年第一季业绩显著增长

2025年第一季度,全球存储器市场迎来关键转折点。DRAM与NAND Flash现货价自2月止跌回升,带动行业库存去化加速,需求端逐步回温。威刚科技董事长陈立白指出,存储器原厂自2024年末起减产调控供给,叠加AI服务器、智能终端等新兴应用需求增长,推动市场价格走出低谷。根据TrendForce数据,尽管此前预测Q1合约价可能下跌,但实际现货市场受备货动能及库存策略影响,价格反弹超预期,成为威刚业绩增长的直接推力。

全大核架构革新旗舰体验 天玑9400e芯片深度解析

MediaTek于5月14日正式推出天玑9400e旗舰移动平台。作为天玑系列的全新力作,该芯片凭借全大核架构设计、第三代4nm制程工艺及多项创新技术,在计算性能、能效管理和AI应用领域实现突破性进展,为智能手机用户提供更卓越的游戏、影像与通信体验。

韩国半导体出口突破116亿美元:存储芯片涨价与HBM需求推高增长

根据韩国产业通商资源部5月14日发布的《2025年4月ICT进出口趋势》报告,韩国4月信息通信技术(ICT)出口额达189.2亿美元,同比增长10.8%,创下有记录以来4月份的最高值。同期贸易顺差为76.1亿美元,主要得益于半导体等高附加值产品的强劲表现。然而,对华、对美两大核心市场的出口增速显著放缓,反映出全球贸易政策不确定性的深远影响。