三菱电机株式会社提供第7代硅片的“T系列IGBT模块"样品

发布时间:2015-06-17 阅读量:739 来源: 我爱方案网 作者:

 
【导读】开发一件好的电子产品能够改善我们生产生活的各个方面,对人类未来的发展也有很大的帮助。三菱电机株式会社开始陆续配置第7代硅片的“T系列IGBT模块”样品,适用于各种用途的工业设备,能使变频器、电梯、不间断电源等设备低功耗和高可靠性,节约能源,提高工业生产和公共设施安全性。

本产品于6月24-26在中国上海举行的“PCIM1 Asia 2015”上展出,带给人们的是一次震撼的大脑和视觉体验,强大的产品阵容能为为工业设备的低功耗与高可靠性贡献,使人们生活在一个更加安全和环保的世界里。下图为“T系列IGBT模块"模型样品

 
图为“T系列IGBT模块"样品

新产品的特点
 
1.应用第7代IGBT和第7代二极管,降低功率损耗。
 
 (1)搭载采用CSTBTTM 结构的第7代IGBT,降低功率损耗和噪声。
 
 (2)采用新背面扩散技术的RFC二极管,降低功率损耗,且无阶跃恢复特性(仅限额定电压为1200V的产品)。使用用载流子存储式沟槽栅型双极晶体管,通过在阴极部分地增加P层,反向恢复时注入空穴,因而使得恢复波形变得平缓,并且能够抑制电压尖峰
   
2.改进封装内部结构,提高工业设备的可靠性
 
(1)在兼容业界标准封装的基础上,改进内部结构。
 
(2)通过采用绝缘和铜基板一体化的底板,并改进内部电极结构,提升热循环寿命,降低内部电感,从而提高系统装备的可靠性。
 
(3)两种封装(焊接端子型和压接端子型),以及一种标准,共三个封装类型。
 
(4)较长时间的底板温度循环变化决定的模块的寿命
 
发售样品

封装型

额定电压

额定电流

样品

开始提供日期

NX 封装

焊接端子

650V

100,150,200,300,450,600A

630日起陆续提供

1200V

100,150,200,225,300,450,600,1000A

NX 封装

压接端子

650V

100,150,200,300,450,600A

1200V

100,150,200,225,300,450,600,1000A

标准std封装

650V

100,150,200,300,400,600A

1200V

100,150,200,300,450,600A


提供样品的目的

1.通用变频器、电梯、不间断电源、风力和太阳能发电、伺服驱动器等工业设备中,由于高效能源利用和延长设备寿命的需求,因而对低功耗和高可靠性的要求进一步提升。
 
2.为满足各种工业用途的需求,为工业设备的低功耗和高可靠性做贡献,推出了采用最新第7代IGBT和二极管的产品,“T系列IGBT模块”。将提供3种封装48个品种的产品。

封装内部结构详情
 
<封装(焊接端子和压接端子)>
 
1.内部电感较现有产品降低约30%。
 
2.将树脂绝缘和铜基板一体化,并与直接树脂灌封相结合,提高热循环寿命与功率循环寿命。
 
3.通过压接插入而无需焊接即可连接模块端子和PCB,能够简便地安装至设备中(仅限压接端子封装)。
 
4.通过树脂灌封,能够降低硅氧烷,满足阻气性等市场需求。
 
<标准封装>
 
1.通过改进内部电极结构,使内部电感较现有产品降低约30%。
 
2.通过厚铜基板技术,提高热循环寿命。
 
3.将陶瓷基板上的敷铜电路加厚,提升热循环寿命,并实现小型封装。与本公司第6代IGBT模块(CM450DX-24S)相比较,调配过的环氧树脂调整了热膨胀率并提高了粘附力,硅胶现中含有低分子化合物。 底板面积也减少24%。
 
其他特点
 
通过选择涂有最佳厚度PC-TIM产品,常温为固态,随着温度上升而发生软化的高导热硅脂,可以为客户省去散热硅脂的涂装工序

 
相关资讯
中国芯片产业再突破:小米自研3nm玄戒O1芯片量产开启高端化新篇章

2025年5月20日,小米集团董事长雷军通过微博宣布,小米自主研发的3nm旗舰芯片“玄戒O1”已进入大规模量产阶段,并计划于5月22日发布会上推出搭载该芯片的高端旗舰手机小米15S Pro和OLED平板7 Ultra。这一突破标志着中国芯片设计能力正式跻身全球第一梯队,成为继苹果、高通、联发科之后全球第四家掌握3nm手机SoC技术的企业。

国产芯片突围战:国科微4TOPS算力芯片如何撼动车载AI市场?

在全球汽车智能化浪潮下,车载芯片正成为产业链竞争的核心战场。国科微近期在接受机构调研时透露,公司已完成多款车规级AI芯片和SerDes芯片的研发测试,并通过ISO26262 ASIL B功能安全认证,标志着国产芯片企业在智能驾驶领域实现关键技术突破。本文将结合行业趋势与企业动态,分析其技术布局与市场前景。

从去库存到补周期:2025上半年存储市场供需拐点深度透视

全球存储产业在2025年上半年经历了显著的价格波动周期,呈现典型的"V型"复苏态势。据TrendForce最新市场监测数据显示,五大NAND Flash头部厂商(三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据)于二季度联合实施产能调控策略,将稼动率下调10-15个百分点,这一战略性减产措施有效缓解了市场库存压力。存储器现货价格指数显示,NAND Flash产品价格在Q2实现3-8%的环比涨幅,成功扭转连续三个季度的下行趋势。

开关损耗降低55%:解析东芝第三代SiC MOSFET的竞争优势与应用前景

2025年5月20日,东芝电子元件及存储装置株式会社(以下简称“东芝”)宣布推出四款650V碳化硅(SiC)MOSFET器件——TW031V65C、TW054V65C、TW092V65C和TW123V65C。这些产品基于第三代SiC MOSFET技术,采用创新的DFN8×8表贴封装,显著提升了功率密度和开关效率,主要面向工业设备中的开关电源、光伏逆变器及电动汽车充电站等高增长领域。

BOM成本直降30%!贸泽首发高性价比AI处理器方案

在全球智能化转型加速的背景下,贸泽电子作为全球领先的电子元器件代理商,今日宣布正式开放Renesas Electronics RZ/V2N嵌入式AI微处理器的全球供货。这款采用创新架构的处理器专为视觉AI应用场景深度优化,通过集成式异构计算方案,成功在算力密度与能效比之间取得突破性平衡,其15 TOPS的AI推理性能搭配10 TOPS/W的能效表现,为工业视觉、移动机器人等边缘计算领域带来全新解决方案。