发布时间：2016-10-27 阅读量：1047 来源: 发布人:
据外媒报道称，近日美国华盛顿大学研究小组利用“交互式散射通信”技术，让隐形眼镜与智能手机、手表等移动设备实现无线连接，从而让隐形眼镜把人体的健康信息传送至移动设备。
这项研究首次表明，功率受限的设备也可通过标准的Wi-Fi通信技术与其他计算机产生信息互联。其背后需要依托“后向散射”通信技术，让设备通过反射现有信号交流信息。华盛顿大学电子工程师瓦姆西·塔拉（Vamsi Talla）提到：我们的技术不是产生Wi-Fi信号，而是通过使用附近移动设备的蓝牙信号创造Wi-Fi。
日本半导体精密加工设备巨头DISCO于7月9日盘后发布重磅业绩修正公告，大幅上调2025财年第一季度（2025年自然年4月至6月）财务预测。这份强劲修正不仅显著超越市场预期，更凸显了生成式AI浪潮对半导体设备需求的强劲拉动。
在电子设备小型化与高效能需求双重驱动下，功率MOSFET的性能边界持续突破。圣邦微电子推出的SGMNL12330 30V N沟道MOSFET，以TDFN-2×2-6BL超薄封装、10A持续电流及9mΩ超低导通电阻，为高密度电源设计提供国产化高性能解决方案。
据TrendForce集邦咨询最新研究，NAND Flash产业历经2025年上半年深度产能调整与库存去化，供需失衡状况显著缓解。原厂加速将产能转向高毛利产品，导致通用型NAND晶圆流通量收缩。需求侧受企业级AI投资扩张及NVIDIA Blackwell架构芯片大规模出货带动，第三季合约价预计实现5%-10%的季度涨幅，正式确立市场回暖趋势。
随着人工智能服务器、边缘计算设备等高性能IT设备部署加速，电子元件的空间利用率成为制约设备性能的关键因素。据IDC预测，2025年全球AI服务器出货量将突破200万台，推动微型大容量电容需求激增63%。在此背景下，株式会社村田制作所率先实现0402英寸（1.0×0.5mm）封装47μF MLCC的量产，标志着高密度电路设计进入新纪元。
当地时间7月8日，美国商务部长霍华德·卢特尼克宣布，关于半导体进口关税税率的最终决定将于7月末或8月1日正式公布。他在白宫简报会上援引特朗普总统的立场称：“未在美建厂的企业将面临高额税率，但已投资建厂者可能获得1-2年缓冲期，此后税率将大幅提升。”
