发布时间：2018-08-21 阅读量：938 来源: 我爱方案网 作者:
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出新系列的下一代650V功率MOSFET，用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。
TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件，是一款支持高达57A连续漏极电流(ID)的650V器件，而出现脉冲电流(IDP)时，可支持高达228A的连续漏极电流。该款新器件提供0.04Ω（0.033Ω典型值）超低漏源极导通电阻RDS(ON)，可有效减少电源应用中的损耗。得益于更低的电容设计，该款增强型器件成为现代高速电源应用的理想之选。
关键性能指标/品质因数(FoM) – RDS(ON) x Qgd的降低使得电源效率得到提高。与上一代DTMOS IV-H器件相比，TK040N65Z的这一重要指标提升40%，这意味着电源效率显著提高，据测量，2.5kW PFC电路中电源效率提高大约0.36%[1]。
该款新器件采用业界标准的TO-247封装，既实现了与旧版设计的兼容性，也适用于新项目。
为满足市场需求，东芝将继续扩大其产品阵容并帮助提高电源和电源系统的效率。
该款新器件的批量生产和出货即日启动。
应用场合
数据中心（服务器电源等）
光伏发电机功率调节器
不间断电源系统
特点
RDS(ON) × Qgd降低，支持开关电源提高效率
注：
[1] 截至2018年6月，东芝测量值（2.5kW PFC电路@输出功率=2.5kW）。
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无源晶振与有源晶振是电子系统中两种根本性的时钟元件，其核心区别在于是否内置振荡电路。晶振结构上的本质差异，直接决定了两者在应用场景、设计复杂度和成本上的不同。
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有源晶振作为晶振的核心类别，凭借其内部集成振荡电路的独特设计，无需依赖外部电路即可独立工作，在电子设备中扮演着关键角色。本文将系统解析有源晶振的核心参数、电路设计及引脚接法，重点阐述其频率稳定度、老化率等关键指标，并结合实际电路图与引脚定义，帮助大家全面掌握有源晶振的应用要点，避免因接线错误导致器件失效。
晶振老化是影响其长期频率稳定性的核心因素，主要表现为输出频率随时间的缓慢漂移。无论是晶体谐振器还是晶体振荡器，在生产过程中均需经过针对性的防老化处理，但二者的工艺路径与耗时存在显著差异。
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