LED芯片的散热方法

结温是怎么产生的？
LED发热的原因是因为所加入的电能并没有全部转化为光能，而是一部分转化成为热能。LED的光效目前只有100lm/W，其电光转换效率大约只有 20~30%左右。也就是说大约70%的电能都变成了热能。

具体来说，LED结温的产生是由于两个因素所引起的。

内部量子效率不高，也就是在电子和空穴复合时，并不能100％都产生光子，通常称为由“电流泄漏”而使PN区载流子的复合率降低。泄漏电流乘以电压就是这部分的功率，也就是转化为热能，但这部分不占主要成分，因为现在内部光子效率已经接近90％。

内部产生的光子无法全部射出到芯片外部而最后转化为热量，这部分是主要的，因为目前这种称为外部量子效率只有30％左右，大部分都转化为热量了。

虽然白炽灯的光效很低，只有15lm/W左右，但是它几乎将所有的电能都转化为光能而辐射出去，因为大部分的辐射能是红外线，所以光效很低，但是却免除了散热的问题。

1、LED芯片到底板的散热
LED芯片的特点是在极小的体积内产生极高的热量。而LED本身的热容量很小，所以必须以最快的速度把这些热量传导出去，否则就会产生很高的结温。为了尽可能地把热量引出到芯片外面，人们在LED的芯片结构上进行了很多改进。

为了改善LED芯片本身的散热，其最主要的改进就是采用导热更好的衬底材料。早期的LED只是采用Si硅作为衬底。后来就改为蓝宝石作为衬底。但是蓝宝石衬底的导热性能不是太好，（在100°C时约为25W/（m-K）），为了改善衬底的散热，Cree公司采用碳化硅硅衬底，它的导热性能（490W /（m-K））要比蓝宝石高将近20倍。而且蓝宝石要使用银胶固晶，而银胶的导热也很差。而碳化硅的唯一缺点是成本比较贵。目前只有Cree公司生产以碳化硅为衬底的LED。

采用碳化硅作为基底以后，的确可以大为改善其散热，但是其成本过高，而且有专利保护。最近国内的厂商开始采用硅材料作为基底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝（AlN）作缓冲。

 

LED芯片封装以后，从芯片到管脚的热阻就是在应用时最重要的一个热阻，一般来说,芯片的接面面积的大小是散热的关键，对于不同的额定功率，要求有相应大小的接面面积。也就表现为不同的热阻。几种类型的LED的热阻如下所示：

早期的LED芯片主要靠两根金属电极而引出到芯片外部，最典型的就是称为ф5或F5的草帽管，它的散热完全靠两根细细的金属导线引出去，所以散热效果很差，热阻很大，这也就是为什么这种草帽管的光衰很严重的原因。此外，封装时采用的材料也是一个很重要的问题。小功率LED通常采用环氧树脂作为封装材料，但是环氧树脂对400-459nm的光线吸收率高达45%，很容易由于长期吸收这种短波长光线以后产生的老化而使光衰严重，50%光衰的寿命不到1万小时。因而在大功率LED中必须采用硅胶作为封装材料。硅胶对同样波长光线的吸收率不到1%。从而可以把同样光衰的寿命延长到4万小时。

下面列出各家LED芯片公司所生产的各种型号LED的热阻

由表中可见，Cree公司的LED的热阻因为采用了碳化硅作基底，要比其他公司的热阻至少低一倍。大功率LED为了改进散热通常在基底下面再放一块可焊接的铜底板以便焊到散热器上去。这些热阻实际上都是在这个铜底板上测得的。

是不是碳化硅就是LED衬底的最佳选择呢，不是这样，任何事物都会有创新和发展的，最近台湾的钻石科技开发出了钻石岛外延片(Diamond Islands Wafer，DIW)做为生产超级LED 的基材。这种LED的热阻可以低至<5°C/W。用它制成的超级LED 可发出极强的紫外光，其强度不因高温而降低，反而会更亮。其结构图如图2所示。

而且采用紫外线来激发各种荧光粉也可以得到所需要的各种颜色的LED。而且荧光粉不是采用和环氧树脂或硅胶混合的方法而是直接涂于芯片表面还可以避免由于环氧树脂和硅胶的老化而产生的光衰。

这将会使整个LED产生革命性变化。而且摆脱了日美等国的专利束缚。

2、集成LED的散热
现在有不少厂商把很多LED晶粒集成在一起以得到大功率的LED。这种LED的功率可以达到5W以上，大多以10W，25W，和50W的功率等级出现。为了把多个LED晶粒（以共晶（Eutectic）或覆晶（Flip-Chip）封装）连接在一起，因为这些晶粒极为精细，所以需要采用精确的印制电路进行连接。为了得到更好的散热特性，通常采用陶瓷基板。这种陶瓷基板是由氧化铝和氮化铝构成。各种材料的导热系数如下表所示。

 

不论氮化铝还是氧化铝，它们都是一种绝缘的陶瓷材料，所以可以把印制电路做在上面。但是氮化铝具有高10倍的导热系数，所以现在更常用氮化铝。过去采用厚膜电路，但是其表面不平，电路边缘毛糙，而且需要800°C以上的烧结温度。现在大多采用薄膜电路，因为它只需要300度以下的工艺，表面平整度可以<0.3um，不会有氧化物生成，附着性好，电路精细，误差低于+/-1%。它实际上是采用照相刻蚀的方法来制作，采用氧化铝为基底的薄膜电路制备的具体过程如下：

图4.  薄膜电路的制备过程

采用氮化铝的制作方法相同。