高频电容是什么？

高频电容

瓷介电容 ,无感CBB电容, CBB电容（如WIMA电容）, 云母电容［如金、银云母 　　电容）,独石电容等均属高频电容. 　

常用于频率较高的谐振、开关、耦合、退耦、电路中. 　

高频下电容的使用原则一般如下：

1. 电源输入端跨接10 ~100uf的电解电容器。如有可能，接100uf以上的更好。

2. 原则上每个集成电路芯片都应布置一个0.01pf的瓷片电容，如遇印制板空隙不够，可每4~8个芯片布置一个1 ~ 10pf的但电容。

 3. 对于抗噪能力弱、关断时电源变化大的器件，如 ram、rom存储器件，应在芯片的 电源线和地线之间直接入退藕电容。

4、电容引线不能太长，尤其是高频旁路电容不能有引线。

此外，还应注意以下两点：

a、 在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时．操作它们时均会产生较大火花放电 ，必须采用附图所示的 rc 电路来吸收放电电流。一般 r 取 1 ~ 2k，c取2.2 ~ 47uf。

b、 cmos的输入阻抗很高，且易受感应，因此在使用时对不用端要接地或接正电源。由于大部分能量的交换也是主要集中于器件的电源和地引脚，而这些引脚又是独立的直接和地电平面相连接的。

这样，电压的波动实际上主要是由于电流的不合理分布引起。但电流的分布不合理主要是由于大量的过孔和隔离带造成的。这种情况下的电压波动将主要传输和影响到器件的电源和地线引脚上。 为减小集成电路芯片电源上的电压瞬时过冲，应该为集成电路芯片添加去耦电容。这可以有效去除电源上的毛刺的影响并减少在印制板上的电源环路的辐射。　

下面介绍几种高频电容

1、NPO高频电容器 
     
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于± 0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。 NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

封 装   DC=50V            DC=100V
0805    0.5---1000pF      0.5---820pF
1206    0.5---1200pF      0.5---1800pF
1210    560---5600pF      560---2700pF
2225    1000pF---0.033μF  1000pF---0.018μF

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。

2、X7R高频电容器 
    
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。 
     
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

封 装  DC=50V             DC=100V
0805   330pF---0.056μF    330pF---0.012μF
1206   1000pF---0.15μF    1000pF---0.047μF
1210   1000pF---0.22μF    1000pF---0.1μF
2225   0.01μF---1μF       0.01μF---0.56μF
 

3、Z5U高频电容器

Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。

封 装  DC=25V               DC=50V
0805  0.01μF---0.12μF       0.01μF---0.1μF
1206  0.01μF---0.33μF       0.01μF---0.27μF
1210  0.01μF---0.68μF       0.01μF---0.47μF
2225  0.01μF---1μF          0.01μF---1μF

Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围  +10℃ --- +85℃
温度特性  +22% ---- -56%
介质损耗  最大 4%