中小功率的igbt

发布时间:2012-01-27 阅读量:4675 来源: 我爱方案网 作者:

中小功率的igbt

中小功率的igbt驱动
  
绝缘栅双极晶体管 IGBT 是第三代电力电子器件,安全工作,它集功率晶体管 GTR 和功率场效应管MOSFET 的优点于一身,具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 的特点,是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、 UPS 及逆变焊机当中。 IGBT 的驱动和保护是其应用中的关键技术。在此根据长期使用 IGBT 的经验并参考有关文献对 IGBT 的门极驱动问题做了一些总结,希望对广大 IGBT 应用人员有一定的帮助。  

1 中小功率的igbt门极驱动要求  

1.1 中小功率的igbt栅极驱动电压


因 IGBT 栅极 - 发射极阻抗大,故可使用 MOSFET 驱动技术进行驱动,但 IGBT 的输入电容较 MOSFET 大,所以 IGBT 的驱动偏压应比 MOSFET 驱动所需偏压强。

在 +20 ℃情况下,实测 60 A , 1200 V 以下的 IGBT 开通电压阀值为 5 ~ 6 V ,在实际使用时,为获得最小导通压降,应选取 Ugc ≥ (1.5 ~ 3)Uge(th) ,当 Uge 增加时,导通时集射电压 Uce 将减小,开通损耗随之减小,但在负载短路过程中 Uge 增加,集电极电流 Ic 也将随之增加,使得 IGBT 能承受短路损坏的脉宽变窄,因此 Ugc 的选择不应太大,这足以使 IGBT 完全饱和,同时也限制了短路电流及其所带来的应力 ( 在具有短路工作过程的设备中,如在电机中使用 IGBT 时, +Uge 在满足要求的情况下尽量选取最小值,以提高其耐短路能力 ) 。  

1.2 中小功率的igbt对电源的要求

对于全桥或半桥电路来说,上下管的驱动电源要相互隔离,由于 IGBT 是电压控制器件,所需要的驱动功率很小,主要是对其内部几百至几千皮法的输入电容的充放电,要求能提供较大的瞬时电流,要使 IGBT 迅速关断,应尽量减小电源的内阻,并且为防止 IGBT 关断时产生的 du/dt 误使 IGBT 导通,应加上一个 -5 V 的关栅电压,以确保其完全可靠的关断 ( 过大的反向电压会造成 IGBT 栅射反向击穿,一般为 -2 ~ 10 V 之间 ) 。

1.3 中小功率的igbt对驱动波形的要求


从减小损耗角度讲,门极驱动电压脉冲的上升沿和下降沿要尽量陡峭,前沿很陡的门极电压使 IGBT 快速开通,达到饱和的时间很短,因此可以降低开通损耗,同理,在 IGBT 关断时,陡峭的下降沿可以缩短关断时间,从而减小了关断损耗,发热量降低。但在实际使用中,过快的开通和关断在大电感负载情况下反而是不利的。因为在这种情况下, IGBT 过快的开通与关断将在电路中产生频率很高、幅值很大、脉宽很窄的尖峰电压 Ldi/dt ,并且这种尖峰很难被吸收掉。此电压有可能会造成 IGBT 或其他元器件被过压击穿而损坏。所以在选择驱动波形的上升和下降速度时,应根据电路中元件的耐压能力及 du/dt 吸收电路性能综合考虑。

1.4 中小功率的igbt对驱动功率的要求

由于 IGBT 的开关过程需要消耗一定的电源功率,最小峰值电流可由下式求出:   I GP = △ U ge /R G +R g ;   式中△ Uge=+Uge+|Uge| ; RG 是 IGBT 内部电阻; Rg 是栅极电阻。   驱动电源的平均功率为:   P AV =C ge △ Uge 2 f,   式中. f 为开关频率; Cge 为栅极电容。

1.5 中小功率的igbt栅极电阻

为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡,减小 IGBT 集电极的电压尖峰,应在 IGBT 栅极串上合适的电阻 Rg 。当 Rg 增大时, IGBT 导通时间延长,损耗发热加剧; Rg 减小时, di/dt 增高,可能产生误导通,使 IGBT 损坏。应根据 IGBT 的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。通常在几欧至几十欧之间 ( 在具体应用中,还应根据实际情况予以适当调整 ) 。另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏 IGBT ,建议在栅射间加入一电阻 Rge ,阻值为 10 k Ω左右。

1.6 中小功率的igbt栅极布线要求

合理的栅极布线对防止潜在震荡,减小噪声干扰,保护 IGBT 正常工作有很大帮助。   
a .布线时须将驱动器的输出级和 lGBT 之间的寄生电感减至最低 ( 把驱动回路包围的面积减到最小 ) ;   
b .正确放置栅极驱动板或屏蔽驱动电路,防止功率电路和控制电路之间的耦合;   
c .应使用辅助发射极端子连接驱动电路;   
d .驱动电路输出不能和 IGBT 栅极直接相连时,应使用双绞线连接 (2 转/ cm) ;   
e .栅极保护,箝位元件要尽量靠近栅射极。

1.7 中小功率的igbt隔离问题

由于功率 IGBT 在电力电子设备中多用于高压场合,所以驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离,

中小功率的igbt驱动器正常输出波形的测试
  
带保护功能的驱动器和驱动板,用户如要测试正常的静态(不加主电情况下)输出波形,需要注意以下几点:
 

 


1、如果功率管IGBT或MOSFET已经连接在电路中了,则加上驱动电源和PWM输入信号,就可以在输出端用示波器看到相应的输出信号。

2、如果功率管没有接,只是在做一个输出测试,那么必须将应接功率管集电极和发射极(或漏极和源极)的两点予以短路才行。因为如果集电极或漏极悬空,那么驱动器或驱动板将认为功率管处于短路状态而启动内部的保护机制,这时看到的将是驱动器输出的保护信号波形,无论是波形形状还是周期都与输入的PWM信号完全不同。

中小功率的igbt

图1中小功率的igbt产品综述

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