什么是MLC？

MLC是什么
MLC英文全称（Multi Level Cell—MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。

英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。

MLC技术的发展历程
MLC是英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功的，其作用是将两个位的信息存入一个浮动栅（Floating Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，透过内存储存格的电压控制精准读写，假设以4种电压控制、1个晶体管可存取2bits的数据，若是控制8种电压就可以存取3 bits的数据，使Flash 的容量大幅提升，类似Rambus的QRSL技术，通过精确控制浮动栅上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制数值（从00到11）。

MLC技术开始升温应该说是从2003年2月东芝推出了第一款MLC架构NAND Flash开始，当时作为NAND Flash的主导企业三星电子 对此架构很是不屑，依旧我行我素大力推行SLC架构。第二年也就是2004年4月东芝接续推出了采用MLC技术的4Gbit和 8Gbit NAND Flash，显然这对于本来就以容量见长的NAND闪存更是如虎添翼。

如何识别SLC和MLC芯片的方法

一、看传输速度，如果有两款产品，采用同一芯片，例如目前非常流行的Rockchip，那么写速有2、3倍优势的就应该是SLC了，而速度上稍慢的则是MLC；　　

 二、看FLASH型号，如果是采用三星闪存、型号以K9G或K9L开头则是MLC，如果采用现代闪存HYUU或HYUV也是MLC。