磁敏电阻

磁敏电阻简介

据小编的了解得知，磁敏电阻(Magnetic Resistance)是利用半导体的磁阻效应制造的，常用InSb(锑化铟)材料加工而成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应。其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。磁敏电阻是利用半导体的磁阻效应制造的，常用InSb(锑化铟)材料加工而成。

                                 图1.磁阻元件结构示意图

半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应,其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。在一个长方形半导体InSb片中，沿长度方向有电流通过时，若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场，半导体InSb片长度方向上就会发生电阻率增大的现象。这种现象就称为物理磁阻效应。

磁敏电阻的原理 　　

在外加磁场作用下，某些载流子受到的洛伦磁力比霍尔电场作用力大时，它的运动轨迹就偏向洛伦磁力的方向；这些载流子从一个电极流到另一个电极所通过的路径就要比无磁场时的路径长些，因此增加了电阻值。在外加磁场作用下，某些载流子受到的洛伦磁力比霍尔电场作用力大时，它的运动轨迹就偏向洛伦磁力的方向；这些载流子从一个电极流到另一个电极所通过的路径就要比无磁场时的路径长些，因此增加了电阻值。平均偏移角θ：电阻的增值可以用载流子在磁场作用力下的平均偏移角θ——霍尔角来衡量，平均偏移角θ与磁场B及载流子迁移率μ之间有如下关系：tanθ=μB

磁敏电阻器是利用磁阻效应制成的，其阻值会随穿过它的磁通量密度的变化而变化。半导体磁阻元件在弱磁场中的电阻率p与磁感应强度B之间有如下的关系BR>式中:

ρ---在磁场中的电阻率; 　　

ρ。--无磁场时的电阻率; 　　

p---半导体中空穴载流子数量; 

N---半导体中电子载流子数量; 　　

μn、μP--载流子的迁移率; 　　

B---磁感应强度。 

                                    图2.磁敏电阻原理

从上式可以看出，当半导体材料确定时，磁敏电阻器的阻值与磁感应强度呈平方关系。 　　上式仅适用于弱磁场，在强磁场下，磁敏电阻器的阻值与磁感应强度呈线性关系。　磁敏电阻器多采用锑化钢(InSb)半导体材料制造。它主要用于测定磁场强度、测量频率和功率等的测量技术，运算技术，自动控制技术以及信息处理技术，并可用于制作无触点开关和可变元接触电位器等。

磁敏电阻的应用

新型磁敏电阻在地磁场测量中的应用。地球本身具有磁性，所以地球及近地空间存在着磁场，叫做地磁场。地磁场数值较小，其强度与方向也随地点而异。但在直流弱磁场测量中，往往需要知道其数值，并设法消除其影响。地磁场作为一种重要的天然磁源，在军事、工业、医学、探矿等科研中也有着重要用途。小编今天就暂时先说到这里 ， 若大家有其他不同见解或是疑问， 可以到本站的论坛去发帖跟我爱方案网网友交流...