晶体管电路

晶体管

晶体管电路是什么？首先要知道晶体管是什么？下面小编就几个方面来给大家介绍下晶体管由两个PN结构成，PN结是由两种不同导电类型半导体材料组成，即P型材料(POSITIVE，导电载流子为空穴)和N型材料(NEGATIVE，导电载流子为电子) 。

晶体管的电路参数介绍

PC 指集电极最大允许耗散功率，使用时不能超过此功率，

IC 指集电极允许最大直流电流

IB 指基极允许最大直流电流

Tj  结温度，指PN结温度

VCEO（集电极—发射极击穿电压）基极开路，C、E之间的反向击穿电压。

VCBO（集电极—基极击穿电压）发射极开路，C、B之间的反向击穿电压。

VEBO（发射极—基极击穿电压）集电极开路，E、B之间的反向击穿电压。

                                           图1、晶体管

HFE(共发射极正向电流传输比)：在共发射极电路中，输出电压保持不变时，直流输出电流与直流输入电流之比。

ICBO（集电极—基极截止电流）：当发射极开路时，在规定的集电极—基极电压下，流过集电极—基极结的反向电流。

IEBO（发射极—基极截止电流）：当集电极开路时，在规定的发射极—基极电压下，流过发射极—基极结的反向电流。

                                       图2、 晶体管电路

VCE（SAT）（集电极—发射极饱和压降）：晶体管工作于饱和区时，在规定的基极电流和集电极电流下，集电极端子与发射极端子之间的电压

VBE（SAT）（基极—发射极饱和压降）：晶体管工作于饱和区时，在规定的基极电流和集电极电流下，基极端子与发射极端子之间的电压

VBE（基极—发射极电压）：在规定的VCE、IC的条件下，晶体管的基极—发射极正向电压。

fT（特征频率）：共发射极小信号正向电流传输比的模数下降到1时的频率

Cob（共基极输出电容）：在共基极电路中，输入交流开路时的输出电容。

晶体管的使用技巧

用于开关线路，则偏向选用电流比较大，饱和压降小的管，对管的耐压要求可适当放宽。因为耐压和电流是一对互相矛盾的参数，要两全其美的话必然增加成本。为了能进入饱和状态，避免出现关不断的情况，除了选好管之外，对线路偏置很重要。通常在IC保持不变情况下增大IB的电流，或IB保持不变情况下减小IC电流。用于高压电路，主要考虑漏电流要小，热稳定性要好，避免击穿电压有软特性、蠕变情况。最好能加保护电路。

用于普通放大，主要考虑HFE输出的线性要好，工作区宽，静态工作点最好选择HFE的测试条件，即HFE分档的测试条件。用于高频线路，主要考虑是fT参数，而且要跟线路板相匹配，PCB板上的电容、电感都回影响其使用。用于功率放大，主要考虑其功率的承受范围，管装上后管体发热情况怎样，周围环境温度如何，散热通风是否良好。今天小编就先给大家介绍到这里吧，有机会再继续给大家做关于这方面的介绍。