反向漏电流是什么

流过处于反向工作的pn结的微小电流称为反向漏电流。

反向漏电流及反向电压

反向漏电流IR是决定整流二极管关断状态损耗的重要参数，在等效电路模型中，用高阻值的电阻Rp模拟漏电流的大小，一般来说，反向漏电流应当是很小的，但在反向过渡过程中，反向电流的峰值IRM对关断损耗的作用却是不可忽视的，而且反向漏电流随着结温的上升呈指数规律增加。

图一：反向漏电流

功率整流二极管的反向额定电压（也称反向阻断电压），又称反向峰值（Peak InverseVoltage，PIV），是由允许的反向漏电流的大小决定的。当功率整流二极管上所加的反向电压大于PIV值时，反向漏电流将大幅度上升。

PN结工艺

理想pn结反向漏电流中还包括体内扩散电流与空间电荷区产生电流两部分，硅pn结空间电荷区产生电流起支配作用。反向漏电流的大小与组成pn结的半导体材料禁带宽度呈指数关系，反向漏电流中还包括表面漏电流，表面漏电流的大小与pn结制作工艺密切相关。

如何测试LED正向电阻和反向漏电流

需要一个半导体图示仪，把档位调到AC(交流），电流调到2mA每格，电压1V每格，然后将LED插上去，慢慢增加电流及电压，I/V特性曲线就出现在你面前了。然后你就根据半导体图示仪上的曲线读数就是了。

如果是先进点的数字型图示仪的话，那就更方便了，将扫描点放到IF=20mA上读VF，然后用VF/IF就是电阻，漏电流就是坐标轴负方向的I/V突变点处的电流，具体操作起来就很简单了。

半导体元件漏电流

PN结在截止时流过的很微小的电流。在D-S没在正向偏置，G-S反向偏置，导电沟道打开后，D到S才会有电流流过。但实际上由于自由电子的存在，自由电子的附着在sio2和N+、导致D-S有漏电流。