发布时间:2013-05-24 阅读量:1903 来源: 我爱方案网 作者:
前言:芯片解密在单片机的专业设计中非常重要,所以单片机设计师要掌握芯片解密的一般过程,同时还要了解芯片解密过程中可能会解密失败的原因,尽量避免芯片解密失败。今天小编就给大家介绍芯片解密的相关知识。
芯片解密的介绍
单片机(MCU)一般都有内部EEPROM/FLASH供用户存放程序和工作数据。为了防止未经授权访问或拷贝单片机的机内程序,大部分单片机都带有加密锁定位或者加密字节,以保护片内程序。如果在编程时加密锁定位被使能(锁定),就无法用普通编程器直接读取单片机内的程序,这就叫单片机加密或芯片加密。单片机攻击者借助专用设备或者自制设备,利用单片机芯片设计上的漏洞或软件缺陷,通过多种技术手段,就可以从芯片中提取关键信息,获取单片机内程序这就叫芯片解密。
芯片解密又叫单片机解密,单片机破解,芯片破解,IC解密,但是这严格说来这几种称呼都不科学,但已经成了习惯叫法,我们把CPLD解密,DSP解密都习惯称为芯片解密。单片机只是能装载程序芯片的其中一个类。能烧录程序并能加密的芯片还有DSP,CPLD,PLD,AVR,ARM等。也有专门设计有加密算法用于专业加密的芯片或设计验证厂家代码工作等功能芯片,该类芯片也能实现防止电子产品复制的目的。
上图为:芯片解密
芯片解密的一般过程
侵入型攻击的第一步是揭去芯片封装(简称“开盖”有时候称“开封”,英文为“DECAP”,decapsulation)。有两种方法可以达到这一目的:第一种是完全溶解掉芯片封装,暴露金属连线。第二种是只移掉硅核上面的塑料封装。第一种方法需要将芯片绑定到测试夹具上,借助绑定台来操作。第二种方法除了需要具备攻击者一定的知识和必要的技能外,还需要个人的智慧和耐心,但操作起来相对比较方便。
芯片上面的塑料可以用小刀揭开,芯片周围的环氧树脂可以用浓硝酸腐蚀掉。热的浓硝酸会溶解掉芯片封装而不会影响芯片及连线。该过程一般在非常干燥的条件下进行,因为水的存在可能会侵蚀已暴露的铝线连接 (这就可能造成解密失败)。
接着在超声池里先用丙酮清洗该芯片以除去残余硝酸,然后用清水清洗以除去盐分并干燥。没有超声池,一般就跳过这一步。这种情况下,芯片表面会有点脏,但是不太影响紫外光对芯片的操作效果。
最后一步是寻找保护熔丝的位置并将保护熔丝暴露在紫外光下。一般用一台放大倍数至少100倍的显微镜,从编程电压输入脚的连线跟踪进去,来寻找保护熔丝。若没有显微镜,则采用将芯片的不同部分暴露到紫外光下并观察结果的方式进行简单的搜索。操作时应用不透明的纸片覆盖芯片以保护程序存储器不被紫外光擦除。将保护熔丝暴露在紫外光下5~10分钟就能破坏掉保护位的保护作用,之后,使用简单的编程器就可直接读出程序存储器的内容。
上图为:芯片解密的流程图
对于使用了防护层来保护EEPROM单元的单片机来说,使用紫外光复位保护电路是不可行的。对于这种类型的单片机,一般使用微探针技术来读取存储器内容。在芯片封装打开后,将芯片置于显微镜下就能够很容易的找到从存储器连到电路其它部分的数据总线。由于某种原因,芯片锁定位在编程模式下并不锁定对存储器的访问。利用这一缺陷将探针放在数据线的上面就能读到所有想要的数据。在编程模式下,重启读过程并连接探针到另外的数据线上就可以读出程序和数据存储器中的所有信息。
还有一种可能的攻击手段是借助显微镜和激光切割机等设备来寻找保护熔丝,从而寻查和这部分电路相联系的所有信号线。由于设计有缺陷,因此,只要切断从保护熔丝到其它电路的某一根信号线(或切割掉整个加密电路)或连接1~3根金线(通常称FIB:focused ion beam),就能禁止整个保护功能,这样,使用简单的编程器就能直接读出程序存储器的内容.虽然大多数普通单片机都具有熔丝烧断保护单片机内代码的功能,但由于通用低档的单片机并非定位于制作安全类产品,因此,它们往往没有提供有针对性的防范措施且安全级别较低。加上单片机应用场合广泛,销售量大,厂商间委托加工与技术转让频繁,大量技术资料外泻,使得利用该类芯片的设计漏洞和厂商的测试接口,并通过修改熔丝保护位等侵入型攻击或非侵入型攻击手段来读取单片机的内部程序变得比较容易。
芯片解密失败的原因
单片机解密失败的原因很多,有人为因素,也有客观环境因素的影响等等,下面是集中常见的造成单片机失败的原因:
1.DECAP存在失败的可能(这种占解密失败原因的绝大部分):
A.过腐蚀,PAD腐蚀坏,外部不能读出程序
B.芯片流片工艺不好,DECAP的时候容易腐蚀PASSVATION表层(钝化层),使管芯实效,外部无法读出程序
C.开盖的时候把PIN脚氧化(酸弄到管脚上了)
D.无意中弄断AL线
E.单片机机使用特殊封装材料,无法和酸反应
F.管芯特殊封装,不在芯片正中位置,极容易开坏(下图是MCU由2个管芯组成,通常称为MCM)
E:芯片封装的时候有杂质,无法进行化学反应。
2.FIB存在失败的可能:
A:芯片流片工艺小,位子没有找正确
B:FIB连线过长,离子注入失效
C:离子注入强度没有控制好
D:FIB设备存在问题
E:某些芯片破解,需要在同一小区域做多项FIB,或者在同一时间内,做多项FIB,那么就容易FIB出现问题。
总结:希望通过小编今天和大家介绍的芯片解密的相关知识,可以让朋友们了解芯片解密的一般过程和芯片解密失败的原因,更多芯片解密的相关知识可通过站内搜索阅读。
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