吸收电容的技术参数

什么是吸收电容？据了解得知吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器，可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型晶体管（IGBT），消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压，避免绝缘栅双极型晶体管的损坏。下面本文主要介绍下吸收电容的技术参数以及吸收电容的作用。


                  

                                  图1、吸收电容

吸收电容的技术参数

电容量: 0.0047 to 6.8μF

额定电压: 700 to 3000 Vdc

损耗角正切:

测试条件 1000±20 Hz ， 25±5℃.

Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4

绝缘电阻: 3000s，s= MΩ. μF

测试条件 1 minute，100Vdc (25±5℃)

耐电压: 2Ur (DC)测试条件 10s，t 25±5℃，1Min

工作温度: -40~+85℃

                              图2、吸收电容

吸收电容的作用

母线电感以及缓冲电路及其元件内部的杂散电感，对IGBT 电路尤其是大功率IGBT 电路，有极大的影响。因此，希望它愈小愈好。要减小这些电感，需从多方面入手。

1、直流母线要尽量地短；

2、缓冲电路要尽可能地贴近模块；

3、选用 低电感的聚丙烯无极电容，与IGBT 相匹配的快速缓冲二极管， 以及无感泄放电阻；

4、其它有效措施。

目前，缓冲电路的制作工艺也有多种方式：有用分立件连接的；有通过印制版连接的；更有用缓冲电容模块直接安装在 IGBT 模块上的。显然，最后一种方式因符合上述第二、第三种降感措施，因而缓冲效果最好，能最大限度地保护IGBT 安全运行。

以上就是小编今天要给大家介绍的关于吸收电容的技术参数和吸收电容的作用了，希望对大家有用。

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