阐述二极管的检测，以肖特基为例

肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

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1．性能比较

下表列出了肖特基二极管和超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。

2．检测方法

下面通过一个实例来介绍检测肖特基二极管的方法。检测内容包括：

①识别电极；

②检查管子的单向导电性；

③测正向导压降VF；

④测量反向击穿电压VBR。

被测管为B82-004型肖特基管，共有三个管脚，将管脚按照正面（字面朝向人）从左至右顺序编上序号①、②、③。选择500型万用表的R×1档进行测量，全部数据整理成下表：

测试结论：

第一，根据①—②、③—④间均可测出正向电阻，判定被测管为共阴对管，①、③脚为两个阳极，②脚为公共阴极。

第二，因①—②、③—②之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单向导电性。

第三，内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为、，均低于手册中给定的最/大允许值VFM()。

另外使用ZC25-3型兆欧表和500型万用表的250VDC档测出，内部两管的反向击穿电压VBR依次为140V、135V。查手册，B82-004的最/高反向工作电压（即反向峰值电压）VBR=40V。表明留有较高的安全系数.

二极管的参数解释

常规参数：正向压降、反向击穿电压、连续电流、反向漏电等；

交流参数：开关速度、存贮时间、截止频率、阻抗、结电容等；

极限参数：最/大耗散功率、工作温度、存贮条件、最/大整流电流等。

二极管具有容易从P型向N型半导体通过电流,而在相反方向不易通过的的特性。这两种特性合起来就产生了电容器的作用,即蓄积电荷的作用。蓄积有电荷,当然要放电。放电可以在任何方向进行。而二极管只在一个方向有电流流过这种说法,严格来说是不成立的。这种情况在高频时就明显表现出来。因此,二极管的极电容以小为好。