薄膜电容使用注意及高压陶瓷电容器

薄膜电容的额定电压必须与本地区电网电压相符合，对于某些电压过高或者有谐波存在的电网，由于高次谐波，尤其是三、五、七次谐波，能量大的，危害也属于较强，在配置时，应采取措施予以避免和隔离。注意运行环境温度。由于过高的运行温度会导致薄膜电容的电化学反应加剧，影响自愈时的热量消散，将导致自愈失败或使用寿命短缩，因此，安装薄膜电容器时应避开热源，改善散热及通风环境。电容器柜应设有合理的保护装置：调整合适的延时及放电时间，投入与切除电容器组要配有限流及放电装置。

因为薄膜电容内阻小，浪涌电流可能高达上万安倍，为了防止新投入的电容器受到旁侧先投入的电容器对其放电，所以应设置限流保护装置；为了保证运行及维护薄膜电容的安全，必须设置放电装置；投切程序应遵守先投先切，后投后切的原则；为了防止频繁投切，电容器组在切除时必须保留足够容量，作为基数组。

高压陶瓷电容器特点，随着电子工业的高速发展，迫切要求开发击穿电压高、损耗小、体积小、可靠性高的高压陶瓷电容器。近20多年来，国内外研制成功的高压陶瓷电容器已经广泛应用于电力系统、激光电源、磁带录像机、彩电、电子显微镜、复印机、办公自动化设备、宇航、导弹、航海等方面。

钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压特性较好的优点，但也有电容变化率随介质温度升高、绝缘电阻下降等缺点。高压陶瓷电容器制作的关键5点，原料要精选影响高压陶瓷电容器质量的因素，除瓷料组成外，优化工艺制造、严格工艺条件是非常重要的。因此，对原料既要考虑成本又要注意纯度，选择工业纯原料时，必须注意原料的适用性。熔块的制备熔块的制备质量对瓷料的球磨细度和烧成有很大的影响，如熔块合成温度偏低，则合成不充分。对后续工艺不利。如合成料中残存Ca2+，会阻碍轧膜工艺的进行：如合成温度偏高，使熔块过硬，会影响球磨效率：研磨介质的杂质引入，会降低粉料活性，导致瓷件烧成温度提高。成型工艺

成型时要防止厚度方向压力不均，坯体闭口气孔过多，若有较大气孔或层裂产生，会影响瓷体的抗电强度。烧成工艺，应严格控制烧成制度，采取性能优良的控温设备及导热性良好的窑具。

包封料的选择、包封工艺的控制以及瓷件表面的清洁处理等对电容器的特性影响很大。冈此，必须选择抗潮性好，与瓷体表面密切结合的、抗电强度高的包封料。目前，大多选择环氧树脂，少数产品也有选用酚醛脂进行包封的。还有采取先绝缘漆涂覆，再用酚醛树脂包封方法的，这对降低成本有一定意义。大规模生产线上多采用粉末包封技术。