电阻与电容及三极管知识

物质本身对电流产生阻碍的作用而产生的一个物理量，用R字符表示，单位为欧姆（Ω）。倍率单位有千欧（KΩ）、兆欧（MΩ），换算关系都是千进率，1KΩ=1000Ω，1MΩ=1000KΩ。一般电阻参数标注有三种分别为直标法、色标法和数标法。色标法使用的最多如;四色环电阻五色环电阻等精密电阻。数标法多用于贴片体积小的电路中，如472表示47X102Ω。

电阻在电路中起到的作用限流、分流、分压、偏置的作用。影响电阻大小的因素有电阻材料本身的特性、温度，还有一些特殊情况光敏电阻。

又或者叫电容器，是指在给定一个电位差下能过存储电子量的能力，符号用C表示，单位为法拉（F）。电容的原理为电荷在电场中受力而运动，当电场中存在某种介质阻碍电荷的运动，并使之依附其上而造成电荷累积。单位除去法拉(F)还有运用的有毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)，换算关系同电阻一般也是千进率。

三极管就是由二个PN结构成三个极的电子元件，基极（B）集电极（C）、发射极（E）。三极管作用：三极管在电路中主要起电流放大和开关作用；也起隔离作用。三极管命名：中国半导体器件型号命名方法，半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管，第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。按材料和极性分有硅/锗材料的NPN与PNP三极管。

按功率分有小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管。按用途分有高、中频放大管、低频放大管、低噪声放大管、光电管、开关管、高反压管、达林顿管、带阻尼的三极管等。按工作频率分有低频三极管、高频三极管和超高频三极管。按制作工艺分有平面型三极管、合金型三极管、扩散型三极管。按外形封装的不同可分为金属封装三极管、玻璃封装三极管、陶瓷封装三极管、塑料封装三极管等。场效应管：MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET属于绝缘栅型。