接地和去耦基础知识及薄膜电容器知识

电解电容系列具有宽值范围、高电容体积比和广泛的工作电压，是极佳的高性价比低频滤波器元件。该系列包括通用铝电解开关类型，提供10 V以下直至约500 V的工作电压，大小为1 μF至数千μF不等（以及成比例的外形尺寸）。所有电解电容均有极性，因此无法耐受约1 V以上的反向偏置电压而不造成损坏。此类元件具有相对较高的漏电流（可能为数十μA），具体漏电流在很大程度上取决于特定系列的设计、电气尺寸、额定电压及施加电压。不过，漏电流不可能是基本去耦应用的主要因素。

 

大多数去耦应用不建议使用通用铝电解电容。不过，铝电解电容有一个子集是“开关型”，其设计并规定用于在最高达数百kHz的频率下处理高脉冲电流，且损耗很低。此类电容在高频滤波应用中可直接媲美固态钽电容，且具有更广泛的可用值。

固态钽电解电容一般限于50 V或更低的电压，电容为500 μF或更低。给定大小时，钽电容比铝开关电解电容呈现出更高的电容体积比，且具有更高的频率范围和更低的ESR。钽电容一般也比铝电解电容更昂贵，对于浪涌和纹波电流，必须谨慎处理应用。最近，使用有机或聚合物电解质的高性能铝电解电容也已问世。这些电容系列拥有略低于其他电解类型的ESR和更高的频率范围，另外低温ESR下降也最小。此类元件使用铝聚合物、特殊聚合物等标签。陶瓷或多层陶瓷(MLCC)具有尺寸紧凑和低损耗特性，通常是数MHz以上的首选电容材料。不过，陶瓷电介质特性相差很大。对于电源去耦应用，一些类型优于其他类型。采用高K电介质配方时，陶瓷电介质电容的值最高可达数μF。Z5U和Y5V型的额定电压最高可达200 V。在直流偏置电压下的电容变化小于Z5U和Y5V型，因此是较佳选择。
 

薄膜电容器类似于制造铝电解电容器的方法制造并极化，然而它们的贮藏时间不受限制，可长时间在无直流极性条件下工作。瞬时反电压一般不会损坏电容器，而铝电解电容是不同的。 实际应用中并不一定总有直流偏置电压。非极性钽电容器也能制造，但价格较贵，而且贮藏后不一定用。如果两个相同的钽电容器背靠背地串联，就可以得到非极性电容。总的电容量为每个串联电容的一半，即C/2。 

一只良好性能的薄膜电容器在接通电源的瞬间，万用表的表针应有较大摆幅；薄膜电容器容量越大，其表针的摆幅也越大，摆动后，表针能逐渐返回零位。假如电容器在电源接通的瞬间，万用表的指针不摆动，则说明电容器失效或断路；若表针一直指示电源电压而不作摆动，表明电容器已被击穿短路；若表针摆动正常，但不返回零位，说明电容器有漏电流现象。薄膜电容器由于具有很多优良的特性，无极性，绝缘阻抗很高，频率特性优异(频率响应宽广)，而且介质损失很小。因此薄膜电容器被大量使用在模拟电路上。