大电流检测方案,你都重点关注哪些问题?

发布时间:2019-04-22 阅读量:16110 来源: 我爱方案网 作者: --

大电流检测方案时,安全性、可靠性、准确性、抗干扰性等是很关键的指标。在实际检测的过程中,你最关心的性能是什么?应该从哪些维度来进行检测?有哪些细节需要注意?我们挑选了一些来自网友的有代表性的回答来深入探讨下大电流检测的方案。


电流消耗和压降至关重要


网友“Yuan”认为,电流检测是精密闭环控制所必需的关键功能。其中最为重要的是监测系统的电流消耗和压降。同时还会特别关注温度性能这一重要参数,它常常难以校准,但在功率放大器室外应用中必须谨慎对待。系统设计人员在选择最精确、最具成本效益的电流传感器也至关重要!


在宽范围内内满足高精度要求


网友“”,有些大电流检测的应用,不但要求大电流测量的精度,还要求在小电流测量时的精度,也就是说电流测量的范围很宽,需要在宽范围内内满足精度要求。一般只能切换检流电阻切换量程,电路结构复杂。


电阻是否匹配会影响测量精度


网友“威尼斯MV”认为,从性能的角度,增益设置电阻之间的不匹配会影响电流测量的精度,继而影响并联器件的尺寸。其他设计考虑因素包括器件规格(输入偏置电压、共模抑制、增益误差)、并联器件尺寸、分流位置和PCB布局。


高温之下,精度和可靠性是否会受影响


网友“忽而一夏”说,大电流应用必然会造成发热,那么在高温下,检测方案的精度、可靠性会不会受到影响?大电流下,导线损耗比较明显,如何避免误差? 


如何让电压保持最高稳定性


网友“无会”认为,大电流检测电流、压降是大多数工程师、设计公司所关注的,但是为使电压保持最高稳定性,还应采用具有低动态电阻和低温度漂移特性的齐纳二极管。同时,运算放大器的失调电压VOS 和失调电流IOS 是非常重要的指标,特别是在分流电阻值和负载电流很低的情况下。因此,为获得最佳性能,最好使用具有零交越失真的轨到轨输入放大器。最后,从BOM成本的角度,一个匹配良好的电阻网络也十分重要。


兼顾测量精度与损耗、稳定性要求

网友“固守流年”说,他最关注的问题是,在满足不同测量精度要求下,如何达到的最低插入损耗以及稳定性指标,以及如何统筹评估兼顾测量精度与损耗、稳定性要求。


温度漂移难以优化需注意


网友“小衣”认为,作为一名电子工程师,在大电流检测中,一般要对其电流和压降进行比较精密、准确的检测,另一个需要考虑的问题是温度漂移。即使采用零漂移放大器,也非常难以优化,或者需要付出高昂代价才能优化下列分立器件所引起的漂移,如齐纳二极管、MOSFET 和电阻,因此所用放大器应当具有高电源抑制(PSR)性能。电流电压的稳定性保持也是值得注意的。


如何降低损耗?


网友“走在老路上”表示,大电流监测中使用分流器监测就不可避免的带来额外的损耗,为了尽可能降低损耗,要求分流器阻值尽可能小。所以在大电流检测中分流器要有足够的进度和稳定性,温漂要小。


除了性能,元件购买成本和周期也需考虑


网友“杜学平”认为,大电流需要考虑的方面有很多,包括体积,抗干扰性,采样元件的温漂抑制,采样元件的精度,采样元件的功率损耗,采样系统的时漂,布板以及结构设计带来的便利性等等问题。除了关注本身性能的问题,还需要综合考虑到元件的成本和购买周期的问题,以保证检测的便利性。


小结


从广大网友的意见来看,“精度”、“稳定”“干扰”和“功耗”是多次提及的词语。也就是说,对于大电流检测来说,最基本的问题是平衡测量精度、抗干扰、功耗和成本之间的关系,用相对简单的测试方法便捷地在较高的检测精下以相对较低的成本完成检测,让用户可以更直观地进行测试和读取数据。其它需要重点考虑的因素包括耐用度,工作环境,电流、电压和电阻的状态。尤其需要注意检测的是,在所有相关的极端工作条件下所有可能的误差源。


如果你也有想表达的意见,欢迎来分享!我们将定期出版技术解决案例专题,热情邀请更多在大电流检测方面有丰富经验的工程师来分享。这些内容将以你的名义发布在快包平台上,你的技术专长能得到宣传,并获得更多承接项目以及为需求方服务的机会!发布问题或分享技术内容请点击进入技术问答社区


如果你有一些技术方面的疑问和问题,欢迎来我爱方案网寻找FAE或工程师解决!我们帮助需求方解决了很多技术问题。  我爱方案网不仅能成为帮您在线交流技术难题的平台,还能为您提供解决技术难题的服务。点击“我要发包”发布需求或进入技术问答社区提问。


相关资讯
革新辅助电源设计:1700V SiC MOSFET赋能20-200W高效系统​

在电机驱动、电动汽车、快速充电和可再生能源系统中,低功耗辅助电源常被视为"幕后功臣"——尽管其功率等级远低于主功率系统,却直接影响着整套设备的可靠性与能效。面对提升可靠性、缩小体积、降低成本、规避供应链风险等多重挑战,设计人员亟需突破传统设计局限的创新解决方案。Wolfspeed全新推出的工业级 C3M0900170x 与车规级认证(AEC-Q101) E3M0900170x 碳化硅MOSFET系列,正为20-200W辅助电源设计提供关键赋能,助力工程师在性能与成本的博弈中开辟新路径。

安森美Hyperlux SG:攻克全局快门三大痛点 (高性能、高效率、低功耗)​

在当今高速成像应用中,如机器视觉、自主导航、增强/虚拟现实(AR/VR/MR)和条码扫描,传统的卷帘快门图像传感器往往力不从心,会因运动模糊或空间失真严重影响图像质量。为克服这些挑战并精准“冻结”快速运动的物体,具备全局快门特性的先进CMOS图像传感器成为关键选择。安森美深知工程师在为高速应用筛选最优全局快门传感器时需权衡大量参数(如分辨率、光学格式、帧率、功耗、动态范围、全局快门效率GSE及信噪比SNR等)以及高级功能(如同步触发、嵌入式自动曝光、ROI选择),因此开发了创新的Hyperlux SG系列产品。

常关型SiC Combo JFET结构

安森美SiC Combo JFET技术通过创新性集成常开型SiC JFET与低压Si MOSFET,构建出高性能共源共栅(cascode)结构,攻克了SiC器件常开特性的应用瓶颈。该方案兼具SiC材料的高压处理能力、超低导通电阻(RDS(on))与卓越热性能,以及Si MOSFET的易控常关特性,为大电流应用(如固态断路器、高功率开关系统)和多器件并联场景提供突破性的功率密度与效率解决方案。

920nm问世+低红曝优选:IR:6技术精准匹配多元红外应用场景

IR:6红外芯片通过实质性的技术创新,显著提升了在面部识别、智能传感器和节能系统等应用中的关键性能(亮度、效率和图像质量)。它在人眼不可见的红外领域展现出卓越表现,特别是在安防领域以更高亮度、更低功耗和更优画质设定了新的距离覆盖和可靠性标准。

工业电动化浪潮:充电器设计的效率与尺寸挑战

工业设备加速迈向电动化,对稳健、高效、适应性强的电池充电器需求激增。无论是手持工具还是重型机械,充电器必须应对严苛环境和全球通用电压输入(120-480 Vac),并优先满足小型化、轻量化及被动散热的设计要求。在这一关键任务中,功率因数校正(PFC)级的拓扑选择至关重要,它直接影响着系统效率、尺寸和成本。本文将剖析现代工业充电设计的核心挑战,重点对比传统升压 PFC 与日益流行的图腾柱 PFC 拓扑方案,并探讨碳化硅(SiC)MOSFET 如何颠覆性地赋能高效率解决方案,为工程师提供清晰的设计指导。