三极管的好坏判别及在电路中的应用特性

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。检测三极管的好与坏很其实简单，主要是测量极间阻值来判断PN结的好坏。用万用表R×100档测发射极和集电极的正向电阻，如果测出都是低阻值，说明管子质量是好的。如果发现测出的阻值正向电阻非常大或者反向电阻非常小，说明管子已损坏。

三极管好坏大致判断。利用三极管内PN结的单向导电性，检查各极间PN结的正反向电阻，如果相差较大说明管子是好的，如果正反向电阻都大，说明管子内部有断路或者PN结性能不好。如果正反向电阻都小，说明管子极间短路或者击穿了。

三极管穿透电流测量判断。用万用表检查管子的穿透电流Iceo，是通过测量集电极与发射极之间的反向阻值来估计的，如果穿透电流大，阻值就较小。测PNP小功率锗管时，万用表R×100档正表笔接集电极，负表笔接发射极，相当于测三极管集电结承受反向电压时的阻值，高频管读数应在50千欧姆以上，低频管读数应在几千欧姆到几十千欧姆范围内，测NPN锗管时，表笔极性相反。

测NPN小功率硅管时，万用表R×1K档负表笔接集电极，正表笔接发射极，由于硅管的穿透电流很小，阻值应在几百千欧姆以上，一般表针不动或者微动。测大功率三极管时，由于PN结大，一般穿透电流值较大，用万用表R×10档测量集电极与发射极间反向电阻，应在几百欧姆以上。如果测得阻值偏小，说明管子穿透电流过大。如果测试过程中表针缓缓向低阻方向摆动，说明管子工作不稳定。如果用手捏管壳，阻值减小很多，说明管子热稳定性很差。三极管放大系数β的测量估计，按测量三极管穿透电流的方法，再用手指同时捏住管子的集电极与基极，表针会迅速向低阻端摆动，摆动范围越大说明三极管放大系数β值越大。

采用双极型开关管的逆变器,基极驱动电流基本上为开关电流的1/β,因此大电流开关电路必须采用多级放大,不仅使电路复杂化,可靠性也变差。因此,IGBT既有绝缘栅场效应管的电压驱动特性,又有双极性三极管饱合压降小和耐压高的输出特性,其关断时间达到0.4us以下,VCEO达到1.8kv,ICM达到100A的水平,目前常用于电机变频调速、大功率逆变器和开关电源等电路中。

一般中功率开关电源逆变器常用MOSFET管的并联推挽电路。而栅源极并联应用,则每只MOSFET管必须采用单独的栅极隔离电阻,避免各开关管栅极电容并联形成总电容增大,导致充电电流增大,使驱动电压的建立过程被延缓,开关管导通损耗增大。输出电流和电压范围,它决定着电路能驱动多大功率的电机。首先单片机能够输出直流信号,但是它的驱动才能也是有限的,所以单片机普通做驱动信号,驱动大的功率管如Mos管,来产生大电流从而驱动电机,且占空比大小能够经过驱动芯片控制加在电机上的均匀电压到达转速调理的目的。

实践驱动电路中通常要用硬件电路便当地控制开关,电机驱动板主要采用两种驱动芯片,一种是全桥驱动,一种是半桥驱动,半桥电路是两个MOS管组成的振荡,全桥电路是四个MOS管组成的振荡。其中,半桥驱动芯片能够驱动高端和低端两个N沟道MOSFET,能提供较大的栅极驱动电流,并具有硬件死区、硬件防同臂导通等功用。要使电机运转,必需导通对角线上的一对三极管。此时,电路中除了三极管外没有其他仼何负載,因而电路上的电流就可能到达最大值(该电流仅受电源性能限制),以至烧坏三极管。