导体场效应晶体管特点及相关参数

导体场效应晶体管是由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，它属于电压控制型半导体器件。

特点

具有输入电阻高(100000000～1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

作用

场效应管可应用于放大，由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。

场效应管可以用作电子开关。

场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻，场效应管可以方便地用作恒流源。

分类

按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。

按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。

场效应晶体管可分为：结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。

相关参数

IDSS—饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。

Up—夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。

Ut—开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。

gM—跨导.是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

BVDS—漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS。

PDSM—最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。