发布时间:2019-07-19 阅读量:1429 来源: 工商时报 发布人: Cloris
晶圆代工龙头台积电18日召开法人说明会,董事长刘德音及总裁魏哲家看好下半年智慧型手机、高效能运算(HPC)等强劲需求,带动7纳米产能全线满载到年底,预期第三季美元营收约较上季成长18%优于预期,第四季营运也乐观展望优于第三季。法人表示,台积电下半年受惠于苹果、华为海思、高通、超微(AMD)、比特大陆等7纳米订单强劲,全年美元营收应可维持去年水准。
受到台积电下半年展望乐观的利多激励,18日美股早盘,台积ADR逆势大涨2.3%,报42.61美元。
台积电公告第二季合并营收季增10.2%达2,409.99亿元,较去年同期成长3.3%,平均毛利率达43.0%,营业利益率31.7%,均符合预期,单季归属母公司税后净利季增8.8%达667.76亿元,较去年同期减少7.6%,每股净利2.57元,获利表现符合市场法人预期。
台积电第二季7纳米制程出货占台积电晶圆销售金额21%,10纳米出货占晶圆销售金额3%,16纳米占晶圆销售金额23%。第二季16纳米及更先进制程占季度晶圆销售金额的47%。
台积电上半年合并营收4,597.03亿元,较去年同期下滑4.5%,平均毛利率达42.2%,营业利益率达30.6%,归属母公司税后净利达1,281.63亿元,较去年同期减少20.9%,每股净利4.94元。
何丽梅表示,台积电第二季营收持续受到全球经济环境疲软、客户进行库存管理、以及高阶行动装置产品的季节性因素等影响。然而台积电也已经渡过业务周期底部,并开始看到需求增加。受惠于客户高端智慧型手机新产品的推出、5G的加速部署、以及客户对台积电7纳米制程需求增加,预期第三季的业绩将进一步提升。
台积电估第三季美元营收将达91~92亿美元,平均较第二季成长18%,以新台币兑美元汇率31.0元计算,第三季新台币营收介于2,821~2,852亿元之间,较第二季成长17.1~18.3%,将创下季度营收历史次高。由于产能利用率提升,7纳米制程全面量产,第三季毛利率预估季增3~5个百分点达46~48%,营业利益率介于35~37%,优于市场预期。法人预估第三季获利表现可望接近去年第四季的新高水准。
魏哲家表示,虽然中美贸易战等影响导致市场充满不确定性,但台积电受惠于5G基础建设及智慧型手机的需求强劲,以及库存在第二季获得改善,对下半年看法乐观,不仅第三季所有应用类别接单全面成长,第四季还会比第三季好,下半年业绩表现会明显优于上半年。
加快5nm研发
晶圆代工龙头台积电董事长刘德音表示,看好全球5G发展将自下半年开始加速,对台积电7纳米及5纳米需求持续增加,将全力冲刺先进制程产能建置。台积电原本预估今年资本支出介于100~110亿美元,现在预期会调升至超过110亿美元并创新高。设备业者指出,苹果及华为海思等大客户对5纳米需求能见度提升,台积电已扩大采购设备,明年将拥有全球最大极紫外光(EUV)逻辑产能。
台积电下半年7纳米制程接单畅旺,现有产能全满且无法因应客户强劲需求,近期已展开扩产动作。同时,台积电为5纳米打造的Fab 18第一期试产顺利,明年上半年将进入量产,第二期及第三期将陆续动工兴建,5纳米将成为推动明年营运成长新动能。刘德音表示,台积电在先进制程持续领先,7纳米市占率优于上一代16纳米,5纳米市占率还会比7纳米更高。
为了加快先进制程产能建置,台积电近期已扩大对微影设备大厂艾司摩尔(ASML)追加下单,包括增加7纳米总月产能至9万片规模,以及提前展开5纳米EUV产能建置。正因为下半年5纳米设备提前拉入机台,推升今年资本支出会超过110亿美元续创新高纪录。
法人指出,台积电下半年7纳米接单畅旺,苹果A13应用处理器第三季开始量产,高通、华为海思、联发科等7纳米5G相关芯片也会开始量产,加上赛灵思(Xilinx)、比特大陆、超微(AMD)的高效能运算(HPC)芯片下单量明显增加,不仅下半年产能全满,7纳米全年营收占比超过25%,明年7纳米产能利用率仍会维持高档。
此外,明年台积电5纳米产能陆续开出后,将成为全球拥有最大EUV逻辑产能的半导体厂。设备业者指出,台积电已看到明年5纳米强劲需求,5G应用是最大成长驱动力,包括华为海思将在明年量产2颗5纳米5G系统单芯片,苹果明年新款A14应用处理器亦会采用5纳米量产。
此外,台积电持续加快3纳米技术研发,总裁魏哲家表示,3纳米制程研发十分顺利,可望接续5纳米之后成为台积电重要制程节点。设备业者指出,台积电5纳米2020年进入量产,3纳米应可在2021年开始进行试产,2022年之后进入量产。
由于5G及高效能运算等芯片都要采用先进制程,台积电等于确保未来五年营运都会维持稳健成长。
国际半导体产业协会(SEMI)最新报告指出,生成式AI需求的爆发正推动全球芯片制造产能加速扩张。预计至2028年,全球12英寸晶圆月产能将达1,110万片,2024-2028年复合增长率达7%。其中,7nm及以下先进制程产能增速尤为显著,将从2024年的每月85万片增至2028年的140万片,年复合增长率14%(行业平均的2倍),占全球总产能比例提升至12.6%。
据供应链消息确认,高通新一代旗舰芯片骁龙8 Elite Gen 2(代号SM8850)将首次采用双轨代工策略:台积电负责基于N3P(3nm增强版)工艺的通用版本,供应主流安卓厂商;而三星则承接其2nm工艺(SF2)专属版本,专供2026年三星Galaxy S26系列旗舰机。此举标志着高通打破台积电独家代工依赖,三星先进制程首次打入头部客户供应链。
在AI算力需求爆发性增长的浪潮下,存储巨头美光科技交出超预期答卷。其2025财年第三季度营收达93亿美元,创历史新高,其中高带宽内存(HBM)业务以环比50%的增速成为核心引擎。凭借全球首款12层堆叠HBM3E的量产突破,美光不仅获得AMD、英伟达等头部客户订单,更计划在2025年末将HBM市占率提升至24%,直逼行业双寡头。随着下一代HBM4基于1β制程的性能优势验证完成,一场由技术迭代驱动的存储市场格局重构已然开启。
随着汽车智能化升级,高保真低延迟高集成度的音频系统成为智能座舱的核心需求。意法半导体(ST)推出的HFDA80D和HFDA90D车规级D类音频功放,以2MHz高频开关技术数字输入接口及先进诊断功能,为车载音频设计带来突破性解决方案。
随着汽车智能化电动化进程加速,自动驾驶(AD)和高级驾驶辅助系统(ADAS)等关键技术模块已成为现代车辆标配。这些系统依赖于大量高性能电子控制单元(ECU)和传感器,导致车内电子元件数量激增。作为电路稳压滤波的核心元件,多层片式陶瓷电容器(MLCC)的需求随之水涨船高,尤其是在集成电路(IC)周边,对大容量电容的需求尤为迫切。然而,有限的电路板空间与日益增长的元件数量及性能要求形成了尖锐矛盾,元件的高性能化与小型化成为行业亟待攻克的关键难题。