发布时间：2019-08-12 阅读量：742 来源: Vishay 发布人: CiCi
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下最大导通电阻降至4 mW，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。Vishay Siliconix SiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度，栅极电荷仅为22.5 nC，同时具有低输出电荷（QOSS）。
与逻辑电平60 V器件不同，SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller（米勒）平台电压，适用于栅极驱动电压高于6 V的电路，器件最佳动态特性缩短死区时间，防止同步整流应用发生击穿。SiSS22DN业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%—与领先的逻辑电平器件不相上下—QOSS为34.2 nC，QOSS与导通电阻乘积，即零电压开关（ZVS）或开关柜拓扑结构功率转换设计中，MOSFET的重要优值系数（FOM）达到最佳水平。为实现更高功率密度，器件比6 mm x 5 mm封装类似解决方案节省65%的PCB空间。
SiSS22DN改进了技术规格，经过调校最大限度降低导通和开关损耗，多电源管理系统构件可实现更高效率，包括AC/DC和DC/DC拓扑结构同步整流、DC/DC转换器主边开关、降压-升压转换器半桥MOSFET功率级，以及通信和服务器电源OR-ing功能、电动工具和工业设备电机驱动控制和电路保护、电池管理模块的电池保护和充电。
MOSFET经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
SiSS22DN现可提供样品并已实现量产，供货周期为30周，视市场情况而定。
日本半导体制造设备协会（SEAJ）于2025年6月24日正式发布其最新统计报告，详细介绍了2025年5月及1-5月日本半导体制造设备的销售表现。这些数据反映了全球半导体产业链的强劲需求，为行业提供了关键的市场洞察。整体来看，日本制造设备销售额持续展现出卓越的增长态势，多项指标刷新历史纪录，凸显了日本在该领域的核心竞争力和市场主导地位。
全球数据中心处理器市场长期被x86架构垄断，国产处理器面临指令集授权与生态建设的双重壁垒。2025年6月，龙芯中科发布基于100%自研指令集（LoongArch）的3C6000系列服务器处理器，首次在核心性能参数上对标英特尔2021年推出的第三代至强可扩展处理器，标志着国产高端芯片实现从技术攻关到市场应用的跨越式突破。
2024年全球车载无线充电系统销量同比增长14%，普及率首次突破50%大关，达53%；2025年Q1进一步攀升至56%。美国以87%的普及率领跑，韩国及北美市场紧随其后。中国欧洲和拉丁美洲需求强劲，其中中国销量同比激增24%，显著拉动全球增长。
全球半导体技术巨头英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）始终致力于推动汽车电子领域的创新。随着新能源汽车和智能网联汽车的快速发展，底盘系统的安全性、精度和可靠性成为核心挑战。例如，电动助力转向和悬挂系统亟需更高性能的传感方案。在此背景下，英飞凌近期推出的新一代电感式传感器产品线正式亮相，旨在为汽车底盘应用提供颠覆性解决方案。这不仅标志着公司在前沿电子组件的深度布局，更呼应了行业对高可靠性传感技术的迫切需求。
2025年Q1，英伟达营收达440亿美元（同比+69%），数据中心业务贡献390亿美元（同比+73%），占收入比近90%。Blackwell架构芯片创下公司史上最快增速，推动计算收入增长73%。汽车与机器人部门收入5.67亿美元（同比+72%），自动驾驶技术成为核心驱动力。尽管受美国对华H20芯片出口管制影响（损失45亿美元库存），英伟达仍维持增长韧性，市值一度突破3.75万亿美元，登顶全球上市公司。
