【投稿】可穿戴设备的无线锂离子充电器解决方案包括集成式降压DC-DC转换器

发布时间:2019-08-28 阅读量:890 来源: 我爱方案网 作者: Wenwei Li

LTC4126是带有1.2 V无电感DC-DC转换器的全功能7.5 mA无线锂离子(Li-Ion)电池充电器,设计用于助听器、无线耳机和其他需要无线充电的空间受限可穿戴产品。LTC4126可与基于LTC6990的ZVS单晶体管发射器组合使用,获得完整的无线充电解决方案。


高效无线输入功率控制器


可穿戴设备越来越倾向于使用无线电池充电,无需使用电缆或外露连接器,因此改善了用户体验。LTC4126充电器、DC-DC转换器具有一个无线功率控制器,使其能够从发射线圈产生的交流磁场无线接收功率(如LTC6990解决方案)。无线功率控制器将接收器端谐振电路的交流电压整流成VCC引脚的直流电压。此直流电压馈入线性充电器,线性充电器再调节对电池的充电。


如果LTC4126接收的能量超出所需能量,无线功率控制器通过将接收器谐振电路分流接地来调节线性充电器的输入VCC。这样,线性充电器将高效运行,因为其输入正好保持在电池电压VBAT之上。接合分流电路时,谐振电路也会接收较少的功率,因为谐振频率与发射器频率失调。


全功能线性电池充电器


LTC4126中的集成式恒流(CC)/恒压(CV)线性锂离子电池充电器可通过一组完整的保护功能确保充电周期正常运行,包括安全计时器的自动充电和自动终止、不良电池检测和超出温度范围充电暂停功能。LTC4126包括可传递至系统微控制器的充电器状态和电池电压电平信号。


无电感低噪声DC-DC转换器


LTC4126包括一个整体式无电感充电泵DC-DC转换器,通过电池调节系统负载输出。LTC4126的DC-DC转换器可通过其EN引脚开关,从而允许通过微处理器进行控制。EN引脚也可与LTC4126的PBEN引脚配合使用,以实现按钮控制——无需额外的去抖电路。


充电泵DC-DC转换器具有三种操作模式,具体取决于电池电压,以提高整体效率。


252330-fig-01.jpg

图1.交流输入整流和直流轨电压调节。

252330-fig-02.jpg

图2.最大理论转换器效率和电池电压。

252330-fig-03.jpg图3.具有集成式DC-DC转换器和充电器状态输出的完整6 mm直径无线电池充电器接收器。

252330-fig-04.jpg

图4.具有单晶体管ZVS发射器和LTC4126接收器的完整无线充电解决方案。

252330-fig-05.jpg

图5.fTX_TANK = 1.29 × fDRIVE时的ZVS操作。


微型PCB板的完整应用电路


由于LTC4126的高度集成式设计,只需几个外部组件即可创建完整的无线充电器接收器解决方案。在直径为6 mm的应用板上,可将整个设计安装在助听器或耳塞的内部。


单晶体管ZVS谐振无线功率发射器


图4中所示的单晶体管发射器是使用LTC6990作为振荡器来驱动低功率晶体管的简单谐振电路。为实现ZVS操作,发射器谐振回路频率设置为振荡频率的1.29倍。通过这种方式,大幅减少了开关损耗,并提高了整体无线充电效率。此发射器只需几个组件,并可安装在小型外壳中。


结论


LTC4126是受到良好保护、高度集成、极其紧凑的无线充电器接收器解决方案,是可穿戴设备的理想选择。将LTC4126(可穿戴设备端)与基于LTC6990(充电站端)的ZVS单晶体管发射器组合在一起,可轻松实现完整的无线充电解决方案。基于这些设备的完整解决方案具有低功耗和低成本。

 

相关资讯
革新辅助电源设计:1700V SiC MOSFET赋能20-200W高效系统​

在电机驱动、电动汽车、快速充电和可再生能源系统中,低功耗辅助电源常被视为"幕后功臣"——尽管其功率等级远低于主功率系统,却直接影响着整套设备的可靠性与能效。面对提升可靠性、缩小体积、降低成本、规避供应链风险等多重挑战,设计人员亟需突破传统设计局限的创新解决方案。Wolfspeed全新推出的工业级 C3M0900170x 与车规级认证(AEC-Q101) E3M0900170x 碳化硅MOSFET系列,正为20-200W辅助电源设计提供关键赋能,助力工程师在性能与成本的博弈中开辟新路径。

安森美Hyperlux SG:攻克全局快门三大痛点 (高性能、高效率、低功耗)​

在当今高速成像应用中,如机器视觉、自主导航、增强/虚拟现实(AR/VR/MR)和条码扫描,传统的卷帘快门图像传感器往往力不从心,会因运动模糊或空间失真严重影响图像质量。为克服这些挑战并精准“冻结”快速运动的物体,具备全局快门特性的先进CMOS图像传感器成为关键选择。安森美深知工程师在为高速应用筛选最优全局快门传感器时需权衡大量参数(如分辨率、光学格式、帧率、功耗、动态范围、全局快门效率GSE及信噪比SNR等)以及高级功能(如同步触发、嵌入式自动曝光、ROI选择),因此开发了创新的Hyperlux SG系列产品。

常关型SiC Combo JFET结构

安森美SiC Combo JFET技术通过创新性集成常开型SiC JFET与低压Si MOSFET,构建出高性能共源共栅(cascode)结构,攻克了SiC器件常开特性的应用瓶颈。该方案兼具SiC材料的高压处理能力、超低导通电阻(RDS(on))与卓越热性能,以及Si MOSFET的易控常关特性,为大电流应用(如固态断路器、高功率开关系统)和多器件并联场景提供突破性的功率密度与效率解决方案。

920nm问世+低红曝优选:IR:6技术精准匹配多元红外应用场景

IR:6红外芯片通过实质性的技术创新,显著提升了在面部识别、智能传感器和节能系统等应用中的关键性能(亮度、效率和图像质量)。它在人眼不可见的红外领域展现出卓越表现,特别是在安防领域以更高亮度、更低功耗和更优画质设定了新的距离覆盖和可靠性标准。

工业电动化浪潮:充电器设计的效率与尺寸挑战

工业设备加速迈向电动化,对稳健、高效、适应性强的电池充电器需求激增。无论是手持工具还是重型机械,充电器必须应对严苛环境和全球通用电压输入(120-480 Vac),并优先满足小型化、轻量化及被动散热的设计要求。在这一关键任务中,功率因数校正(PFC)级的拓扑选择至关重要,它直接影响着系统效率、尺寸和成本。本文将剖析现代工业充电设计的核心挑战,重点对比传统升压 PFC 与日益流行的图腾柱 PFC 拓扑方案,并探讨碳化硅(SiC)MOSFET 如何颠覆性地赋能高效率解决方案,为工程师提供清晰的设计指导。