发布时间：2019-09-4 阅读量：1433 来源: 我爱方案网 作者: Frederik Dostal
反激式转换器通常用于需要对电源电压进行电气隔离并且传输功率相对较低的应用中。输出功率低于60 W时通常采用反激式转换器。
对于电气隔离电源，您必须确定电气隔离控制器IC在初级或次级的哪一端将会导通。如果它位于次级端，则必须通过电气隔离提供对初级端电源开关的控制。
无论是初级端的控制器还是次级端的控制器，在两种架构中都需要可越过电气隔离进行信号传输的路径。常用路径为光耦合器（或光隔离器）。然而，它们都会带来一些不利因素。它们的额定温度通常仅为85°C，电流传输比(CTR)随时间而改变，这意味着它们的传输行为在电路使用寿命期间会发生变化。此外，还需要其他元件来控制光耦合器。如果使用光耦合器，隔离式电源的反馈环路速度通常很慢。近年来，针对该问题已开发出一些简洁的解决方案。第一种解决方案是反激式控制器，它不直接测量输出电压。通过监测初级端变压器绕组两端的电压，可以得到有关实际输出电压足够准确的判据。该调节精度取决于应用的常用条件，包括输入和输出电压、负载变化和电压变化。
不过，对于许多应用而言，±10%至±15%的调节精度已经足够。图1所示为LT8301。由于集成了电源开关，并采用SOT23封装，IC仅需很少的外部元件。电路的隔离击穿电压仅取决于所用变压器。因此可提供极大的灵活性，尤其是在要求非常高的隔离电压时。
图1.无需隔离反馈路径的LT8301反激式稳压器。
然而，对于需要更高输出电压控制精度的应用，另一个有趣的解决方案最近才刚刚上市。ADI公司向市场推出了一款反激式控制器ADP1071，它包含一个采用iCoupler®技术的完全集成式反馈路径。
图2显示了仅需极少数量无源元件的电路。ADP1071包含初级端控制器、可提高转换效率的次级端有源整流控制器，以及完全集成式反馈路径，可实现非常快速的反馈环路。通过采用该解决方案，输出电压调节非常准确，更重要的是非常快速，即使在负载瞬变很大时也不例外。可允许的工作温度高达125°C硅片温度。
图2.ADP1071反激式控制器具有集成式反馈路径，可实现非常精确的调节。
其最大隔离电压取决于所选变压器以及开关稳压器IC采用的隔离技术。芯片的最大隔离电压为5 kV。已申请符合VDE V 0884-10的增强绝缘分类等级。
上述有趣的解决方案可用于开发电气隔离电源。根据应用情况，无需反馈路径的解决方案或具有完全集成式反馈路径的解决方案都有可能是合适的。由于不再受光耦合器85°C工作温度的限制，因此可实现功率密度非常高的紧凑型电源设计。
欢迎工程师或FAE来投稿，凡是未经发布的首发原创稿必有重金酬谢！投稿请联系包工头（微信ID：kuaibao52） 查看投稿细则》
在电机驱动、电动汽车、快速充电和可再生能源系统中，低功耗辅助电源常被视为"幕后功臣"——尽管其功率等级远低于主功率系统，却直接影响着整套设备的可靠性与能效。面对提升可靠性、缩小体积、降低成本、规避供应链风险等多重挑战，设计人员亟需突破传统设计局限的创新解决方案。Wolfspeed全新推出的工业级 C3M0900170x 与车规级认证（AEC-Q101） E3M0900170x 碳化硅MOSFET系列，正为20-200W辅助电源设计提供关键赋能，助力工程师在性能与成本的博弈中开辟新路径。
在当今高速成像应用中，如机器视觉、自主导航、增强/虚拟现实（AR/VR/MR）和条码扫描，传统的卷帘快门图像传感器往往力不从心，会因运动模糊或空间失真严重影响图像质量。为克服这些挑战并精准“冻结”快速运动的物体，具备全局快门特性的先进CMOS图像传感器成为关键选择。安森美深知工程师在为高速应用筛选最优全局快门传感器时需权衡大量参数（如分辨率、光学格式、帧率、功耗、动态范围、全局快门效率GSE及信噪比SNR等）以及高级功能（如同步触发、嵌入式自动曝光、ROI选择），因此开发了创新的Hyperlux SG系列产品。
安森美SiC Combo JFET技术通过创新性集成常开型SiC JFET与低压Si MOSFET，构建出高性能共源共栅（cascode）结构，攻克了SiC器件常开特性的应用瓶颈。该方案兼具SiC材料的高压处理能力、超低导通电阻（RDS(on)）与卓越热性能，以及Si MOSFET的易控常关特性，为大电流应用（如固态断路器、高功率开关系统）和多器件并联场景提供突破性的功率密度与效率解决方案。
IR:6红外芯片通过实质性的技术创新，显著提升了在面部识别、智能传感器和节能系统等应用中的关键性能（亮度、效率和图像质量）。它在人眼不可见的红外领域展现出卓越表现，特别是在安防领域以更高亮度、更低功耗和更优画质设定了新的距离覆盖和可靠性标准。
工业设备加速迈向电动化，对稳健、高效、适应性强的电池充电器需求激增。无论是手持工具还是重型机械，充电器必须应对严苛环境和全球通用电压输入（120-480 Vac），并优先满足小型化、轻量化及被动散热的设计要求。在这一关键任务中，功率因数校正（PFC）级的拓扑选择至关重要，它直接影响着系统效率、尺寸和成本。本文将剖析现代工业充电设计的核心挑战，重点对比传统升压 PFC 与日益流行的图腾柱 PFC 拓扑方案，并探讨碳化硅（SiC）MOSFET 如何颠覆性地赋能高效率解决方案，为工程师提供清晰的设计指导。
