发布时间：2019-10-8 阅读量：1016 来源: 快科技 发布人: Jude
2019年国产内存实现了0的突破，合肥长鑫前不久宣布量产10nm级DDR4内存，核心容量8Gb。除此之外，另外一家存储芯片公司兆易创新也宣布研发内存，10.1日该公司宣布融资43亿元，主要用于研发1Xnm工艺的内存芯片。
根据兆易创新的公告，本次非公开发行A股股票的发行对象为不超过10名特定投资者，发行的股票数量不超过本次发行前公司股份总数的20%，即不超过64,224,315股（含本数）。
预案显示，兆易创新本次发行募集资金总额（含发行费用）不超过人民币432,402.36万元（含本数），扣除发行费用后的募集资金净额将用于DRAM芯片研发及产业化项目及补充流动资金。
募集的资金中有39.92亿元都会投入到内存研发及产业化中，主要用于研发1Xnm（19、17nm）制程工艺下的内存芯片，设计、研发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4等多种规格的内存。
早在2017年的时候，兆易创新宣布与合肥长鑫合作，双方将投资180亿元研发国产内存，其中兆易创新方面负责筹集36亿元的资金。不过合肥长鑫量产内存时表示该项目是他们独立运营的，否认与兆易创新有关。
目前情况来看，兆易创新融资43亿元是准备自行研发DDR内存，而且制程工艺也是国际先进水平，17nm工艺目前与三星、美光工艺基本持平，不过后者已经开始量产，兆易创新依然是研发阶段。
在万物互联与智能化浪潮席卷全球的今天，新唐科技以颠覆性创新奏响行业强音。4月25日，这场历时10天、横跨七城的科技盛宴在深圳迎来高潮，以"创新驱动AI、新能源与车用科技"为主题，汇聚全球顶尖行业领袖，首次公开七大核心产品矩阵，展现从芯片设计到智能生态的全链条创新能力，为半导体产业转型升级注入新动能。
在2025年北美技术研讨会上，台积电正式宣布其A14（1.4nm）工艺将于2028年量产，并明确表示无需依赖ASML最新一代High NA EUV光刻机。这一决策背后，折射出全球半导体巨头在技术路线、成本控制和市场竞争中的深层博弈。
随着AIoT技术的快速落地，智能设备对高性能、低功耗嵌入式硬件的需求持续攀升。华北工控推出的EMB-3128嵌入式主板，搭载Intel® Alder Lake-N系列及Core™ i3-N305处理器，以高能效比设计、工业级可靠性及丰富的接口配置，成为轻量级边缘AI计算的理想选择。该主板支持DDR5内存、多模态扩展接口及宽温运行环境，可广泛应用于智能家居、工业自动化、智慧零售等场景，助力产业智能化升级。
作为全球半导体沉积设备领域的龙头企业，荷兰ASM国际（ASMI）近日发布2024年第一季度财报，展现强劲增长动能。财报显示，公司当季新增订单额达8.34亿欧元（按固定汇率计算），同比增长14%，显著超出市场预期的8.08亿欧元。这一表现主要受益于人工智能芯片制造设备需求激增与中国市场的战略性突破，同时反映出半导体产业技术迭代与地缘经济博弈的双重影响。
随着汽车智能化加速，车载摄像头、激光雷达、显示屏等传感器数量激增，数据传输带宽需求呈指数级增长。传统国际厂商基于私有协议（如TI的FPD-Link、ADI的GMSL）垄断车载SerDes市场，导致车企供应链弹性不足、成本高企。2025年4月，纳芯微电子发布基于HSMT公有协议的全链路国产化SerDes芯片组（NLS9116加串器与NLS9246解串器），通过协议解耦、性能优化与供应链自主可控，为ADAS、智能座舱等场景提供高性价比解决方案，标志着国产车规级芯片从“跟跑”迈向“并跑” 。
