台积电 2nm 工艺已规划，间距相比 3nm 缩小 23％

11 月 4 日讯，晶圆代工龙头台积电 2 日庆祝创立 33 周年，并举行员工运动会，台积电创办人张忠谋也在退休后携夫人张淑芬首次回来参加。

庆典上，董事长、联席 CEO 刘德音谈到了台积电的先进工艺规划，最先进的 2nm 工艺也进入了先导规划中，明年则会量产 5nm 工艺。

2019 年是半导体产业遇逆风的一年，全球半导体产业将衰退 12%。而半导体除记忆体之外，也预估将衰退 3%。不过，台积电确定 2019 年将较 2018 年小幅成长，这样的成长虽然不够多，但也是一个逆势成长。

所以，台积电的表现算是突出。而对于 2020 年的展望，台积电也已经做好准备，借由大规模的产能投资布建，预期将会是一个大大成长的年。

根据台积电的规划，2nm 工艺是一个重要节点，Metal Track ( 金属单元高度 ) 和 3nm 一样维持在 5x，同时 Gate Pitch ( 晶体管栅极间距 ) 缩小到 30nm，Metal Pitch ( 金属间距 ) 缩小到 20nm，相比于 3nm 都小了 23％。

此外，台积电在台中的晶圆 15 厂，目前借由 N7 制程已经进行了 2 年独步全球的快速 Ramp-out 和大量制造，使得在其 N7 的学习取线上，已经产出了超过 100 万片的 12 吋晶圆。而首次使用 EUV 技术的 N7+ 制程也已经于 2019 年 6 月份开始大量生产，并且有良好的良率表现。

至于，最新进的 N5 制程即将准备就绪。而且，在过去的一年中，在新竹的晶圆 12 厂及在台南的 18 厂，都有缴出很好的成绩，客户也都十分的满意。2020 年台积电的 N5 将接续 N7 的脚步，缔造又一个世界最先进半导体技术的里程碑。

此外，借助公司成立 33 周年的契机，台积电也宣布了新的福利，凡是 2019 年 5 月 31 日以前到职，职级 60 到 64 的直接人员，职级 20 到 26 的行政及技术人员，以及职级 31 到 33 的工程师与管理师，总计约有 39000 名同仁，台积电将在 12 月发给每人新台币 12000 元（约合 2774 元人民币）的红包，总计将发出 4.68 亿元的红包奖金。