电容传声器的结构及发展趋势

1. 防尘网：保护传声器，防止灰尘落到振膜上，防止外部物体刺破振膜，还有短时间的防水作用。

2、外壳：整个传声器的支撑件，其它件封装在外壳之中，是传声器的接地点，还可以起到电磁屏蔽的作用。

3、振膜：是一个声-电转换的主要零件，是一个绷紧的特氟窿塑料薄膜粘在一个金属薄圆环上，薄膜与金属环接触的一面镀有一层很薄的金属层，薄膜可以充有电荷，也是组成一个可变电容的一个电极板，而且是可以振动的极板。

4、垫片：支撑电容两极板之间的距离，留有间隙，为振膜振动提供一个空间，从而改变电容量。

5、极板：电容的另一个电极，并且连接到了FET的G极上。

6、极环：连接极板与FET的G极，并且起到支撑作用。

7、腔体：固定极板和极环，从而防止极板和极环对外壳短路（FET的S，G极短路）。

8、PCB组件：装有FET，电容等器件，同时也起到固定其它件的作用。

9、PIN：有的传声器在PCB上带有PIN，可以通过PIN与其他PCB焊接在一起，起连接作用。

电容传声器的主要技术指标

1、消耗电流：即传声器的工作电流。

主要是FET在VSG=0时的电流，根据FET的分档，可以作成不同工作电流的传声器。但是对于工作电压低负载电阻大的情况下,对于工作电流就有严格的要求VS=VSD+ID*RL ID = (VS-VSD)/ RL。

式中ID FET在VSG等于零时的电流，RL为负载电阻，VSD即FET的S与D之间的电压降VS为标准工作电压，总的要求100μA〈IDS〈500μA。

2、灵敏度：单位声压强下所能产生电压大小的能力。单位：V/Pa 或 dBV/Pa 有的公司使用是dBV/μBa -40 dBV/Pa=-60dBV/μBa 0 dBV/Pa=V/Pa，声压强Pa=1N/m2。

3、输出阻抗：基本相当于负载电阻RL-30[%]之间。

4、方向性。

电容传声器的发展趋势

1、微型化。

2、低噪声型，主要为一些要求低噪声的设备使用,如助听器及低噪声要求的。

3、低功耗型，要求工作电流〈50μA的,主要为电池供电的设备使用。

4、高灵敏度的，带有IC放大功能的(大约增益15dB)。

5、数字化，传声器内部带有A/D转换功能的数字化输出。

6、能耐回流焊的电容传声器，因为电容传声器的内部的关键部件是一个塑料薄膜，它不能耐高温,因此现在的电容传声器都不能耐波峰焊和回流焊，选用特殊的材料研制能耐回流焊的电容传声器，将进一步扩大驻极体MIC的应用范围。

7、二氧化硅电容传声器，是另一类型的电容传声器，它与传统的电容传声器完全不同，它是由半导体技术制作的，它不但可以耐波峰焊和回流焊，而且热稳定性很好，是很有发展前途的一种产品，但目前价格较高。