三极管的工作原理和参数解析

发射区向基区发射电子，电源接通后，发射结为正向连接，在正向电场作用下，发射区的多数载流子(电子)的扩散运动加强。因此，发射区的电子很容易在外电场的作用下越过发射结进入基区，形成电子流IEN(注意电流的方向与电子运动的方向相反)。当然，基区的多数载流子(空穴)也会在外电场的作用下流向发射区，形成空穴电流IEP。但由于基区的杂质浓度很低，与从发射区来的电子流相比，IEP可以忽略不计。

电子在基区中的扩散与复合。从发射区扩散到基区的电子到达基区后，由于基区靠发射区的一侧电子浓度较大，靠集电区一侧电子浓度较小.所以电子继续向集电区扩散。在扩散过程中，电子有可能与基区的空六相遇而复合，基极电源、EB不断提供空穴，这就形成了基极电流IBN。由于基区很薄，而空穴浓度低，电子与空穴复合的机会很少，大部分电子继续向集电区扩散。此外，半导体三极管工作时，集电结为反向连接，在反向电场作用下，基区与集电区之间少数载流子的漂移运动加强c因基区载流子很少.电子更少，故漂移运动主要是集电区的空穴流向基区。漂移运动形成的电流ICBO的数值很小，而且与外加电场的大小关系不大，它被称为集电极反向饱和电流。

集电极电流的形成。由于集电结加的是反向电场，经过基区继续向集电区方向扩散的电子是逆电场方向的，所以受到拉力，加速流向集电区.形成电子流ICN。如果考虑集电极饱和电流ICBO的影响，集电极电流应为：从半导体三极管外电路看，流入管子的电流必须等于流出的电流。从半导体三极管电流传输过程中可以看出，集电极电流IC很大，而基极电流IB很小。由于IC和IB存在一定的比例关系，而且IE=lC+IB，所以半导体三极管起着一种电流分配器的作用，即把发射极电流IE按一定的分配关系分成IC和IB。IC远大于IB。因存在这种分配关系，所以只要使IB略有增加，IC就会增加很多，这就起到了放大作用。

设计晶体三极管电路，可以利用晶体三极管的静态特性来求出偏置、放大倍数等。仔细观察发现这一静态特性的利用范围几乎是线性部分。为代替静态特性，可以用线性范围内的某一部分的斜率以数值的形式来表示特性曲线，称其为h参数。根据四条特性曲线，有如下所示四个h参数。

①Hfe(电流放大倍数)：是IB-IC特性曲线的斜率，hfe=△IC/△IB； ②Hie（输入阻抗）：是VBE-IB特性曲线的斜率，hie=△VBE/△IB[]；③Hoe（输出导纳）：是VCE-IC特性曲线的斜率，hoe=△IC/△VCE[S]；④Hre（电压反馈系数）：是VCE-VBE特性曲线的斜率，hre=△VBE/△VCE。 h参数的值，不仅根据晶体三极管种类的不同而有差异，而且，即使是同一个晶体三极管，也会根据集电极电流IC、集电极-发射极间电压VCE、周围温度Ta等测定条件的不同发生变化。

输入端的等效电路VBE-IB特性曲线上，因为△VBE与交流量的vbe=vi相当，△IB与交流量的ib=ii相当，基极-发射极间相对于交流的输入阻抗与hie相等。输出端的等效电路VCE-IC特性曲线上，△VCE与交流量的vce=vo、△IC与交流量的ic=io、△IB与交流量的ib=ii相当，集电极-发射极间，与负载电阻RL上流过hfeii的电流的电路等效。

三极管的负压产生原理。当接通电源时候，两只三极管就要争先导通，但由于元器件有差异，只有一只最先导通。假如Q1先导通，那么集电极电压下降 ，D1被点亮，当Q1导通，C2通过基极放电，放完电时候，再通过R4→D2→C2→Q1（基极）充电，形成上正下负电荷。C1通过Q1充电，当冲到0.7V时，Q2导通，D1熄灭。C2通过Q2放电.由于Q1跟C2的负电荷接一起的，所以形成负电压，放完电荷再充电，当充到0.7V时，Q1导通，如此循环。