闸流管的应用规则

氢闸流管的工作过程是一种低气压气体由隔离高电压状态转变为高导电状态的过程。如果在闸流管的阴阳极间加上额定的工作电压，在没有加上触发脉冲之前，管子是截止的，处于断开状态。阴极灯丝和氢发生器的热丝预热数分钟，阴极热发射的电子储存在栅阴间，一旦加上触发脉冲，管子就开始工作，转为闭合状态。

规则 1 为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧IGT ，直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑。

规则 2.要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须　规则 3.设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-，G+）。

规则 4.为减少杂波吸收，门极连线长度降至最低。返回线直接连至 MT1（或阴极）。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和 MT1 间加电阻 1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选用 H 系列低灵敏度双向可控硅。

规则 5.若 dVD/dt或 dVCOM/dt可能引起问题，在 MT1 和MT2 间加入 RC 缓冲电路。若高 dICOM/dt可能引起问题，加入一几 mH的电感和负载串联。另一种解决办法,采用Hi-Com双向可控硅。

规则 6.假如双向可控硅的 VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之一：负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感，以限制dIT/dt；用 MOV 跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。

规则 7.选用好的门极触发电路，避开 3+象限工况，可以最大限度提高双向可控硅的 dIT/dt 承受能力。

规则 8.若双向可控硅的 dIT/dt 有可能被超出，负载上最好串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。

规则 9.器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。

规则 10.为了长期可靠工作，应保证 Rth j-a 足够低，维持 Tj 不高于 Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。