双向晶闸管概述

双向晶闸管的发展现状在我国精管行业发展很快。国内分立器件厂商的主要产品以硅基二极管、三极管和晶闸管为主，目前国际功率半导体器件的主流主品功率MOS器件只是近年来才有所涉及，且主要为平面栅结构的VDMOS器件，IGBT还处于研发阶段。宽禁带半导体器件主要是以微波功率器件(SiCMESFET和GaNHEMT)为主，尚未有针对市场应用的宽禁带半导体产品器件的产品研发。

从功率半导体的产品分类来说
　　

1、普通二极管、三极管国内的自给率已经很高，但是在高档的功率二极管，大部分还依赖进口，国内的产品性能还有不小的差距。　　

2、ABB晶闸管类器件产业成熟，种类齐全，普通晶闸管、快速晶闸管、超大功率晶闸管、光控晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、高频晶闸管都能生产。中国南车集团现在可以生产6英寸、4000A、8500V超大功率晶闸管，居世界领先水平，已经在我国的机车上大量使用，为我国的铁路现代化建设做出了贡献。
　　

3、在功率管领域，逐步有国内的企业技术水平上升到MOS工艺，MOSFET的产业有一定规模，进入21世纪后，这类器件的产品已批量进入市场，几十安培、200V的器件在民用产品上获得了广泛应用，进口替代已然开始。
　　

4、IGBT、FRD已经有所突破，FRD初见规模。IGBT从封装起步向芯片设计制造发展，从PT结构向NPT发展，沟槽工艺正在开发中。IGBT产品进入中试阶段，
　　

5、在电源管理领域，2008年前十名都见不到国内的企业。
　　

从功率半导体产业链来说
　　

1、设计：国内IGBT还处于研制阶段，还没有商品化的IGBT投入市场，我国IGBT芯片的产业化道路比较漫长。目前国内的民营和海归人士设立的公司已经研发出了低端的IGBT产品，如常州宏微、嘉兴斯达。南车集团就不说了。
　　

2、制造：IGBT对于技术要求较高，国内企业还没有从事IGBT生产。考虑到IP保护以及技术因素的限制，外资IDM厂商也没有在国内进行IGBT晶圆制造和封装的代工。目前华虹NEC和成芯的8寸线、华润上华和深圳方正的6寸线均可提供功率器件的代工服务。
　　

3、封装：我国只有少数企业从事中小功率IGBT的封装，而且尚未形成规模化生产，在IGBT芯片的产业化以及大功率IGBT封装领域的技术更是一片空白。
　

从功率半导体工艺发展来说
　

1、、BCD工艺已从无到有，从低压向高压发展，从硅基向SOI基发展。
　

2、从封装起步向芯片设计制造发展，从PT结构向NPT发展，沟槽工艺正在开发中。

双向晶闸管组成的交流调压电路图

如下图所示，电路利用双向晶闸管控制加热器负载RL（电阻丝）。触发电路采用单结晶体管弛张振荡器。其电源由交流电源经整流桥整流、电阻R1和稳压管VZ削波成梯形直流电动后供给。单结晶体管输出经脉冲变压器耦合至双向晶闸管门极电路。如果要控制直流电动机M的转速，可以按图中虚线将双向晶闸管与电动机串联。并联阻容器件主要是为了吸收双向晶闸管上因电感负载放电有可能产生的过电压。