Mos管的构造分析多个管并联

mos管是金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压mos管。

场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。以N沟道增强型为例。VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道。VGS=0，ID=0 。VGS必须大于0 管子才能工作； 当VGS》0时，在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通，形成导电沟道。VGS》0→g吸引电子→反型层→导电沟道。VGS↑→反型层变厚→VDS↑→ID↑。 当VGS≥VT时而VDS较小时：VDS↑→ID↑。VT：开启电压，在VDS作用下开始导电时的VGS°VT=VGS—VDS ；VGS》0且VDS增大到一定值后，靠近漏极的沟道被夹断，形成夹断区。VDS↑→ID不变。

并联是元件之间的一种连接方式，其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等首首相接，同时尾尾亦相连的一种连接方式。通常是用来指电路中电子元件的连接方式，即并联电路。以3个mos管并联为例，采用对每个并联的MOS管单独实限流技术来限制流过每个MOS管的电流。具体方法如下：

在每个MOS管串联作电流检测用的采样电阻，实时对流过每个MOS管的电流进行监测。3路分流器的采集信号均送入比较器。作为判断是否过流的依据：只要流过任何一个MOS管的电流超过对其所限定的电流保护值，则控制回路依据送出的过流保护信号马上限制驱动脉冲的开度，保证当前流过每个MOS管的电流不超过所限定的电保护值。

如果在PWNin驱动脉冲加入后，假定MOS1先开通，MOS2、MOS3暂时未开通，则电流只能先流过MOS1，而且电流被限制在其限制值以内；接着MOS2又开通，则部分原先流过MOS1的电流会被分流到MOS2，必然引起流过MOS1的电流小于其限制值，于是过流信号消失，PWNin驱动脉冲开度加大，直至电流重新到达MOS1或MOS2的电流限制点后，PWNin驱动脉冲才会停止增加。以后MOS3导通的又重复上述的电流分配过程，直至到达新的电流平衡。同理，可分析MOS管任何时刻单个或多个导通时电流的自行分配过程。