发布时间：2020-09-28 阅读量：946 来源: 发布人: Viva
对于Intel来说，他们这波被动落后AMD，虽然有很多因素决定，但不够先进的工艺绝对是其中一个。据外媒最新报道称，考虑由其他厂商代工芯片的Intel，已经将2021年18万片晶圆GPU的代工订单交给了台积电，将采用后者的6nm工艺。
除了18万片GPU的代工订单，台积电尚未投产的3nm工艺，也会获得Intel的订单。
在5nm工艺大规模投产之后，台积电将投产的下一代重大芯片制程工艺，就将是3nm，目前正在按计划推进，计划在2021年开始风险试产，2022年下半年大规模投产。
据悉，台积电的3nm工艺准备了4波产能，首波产能中的大部分将留给大客户苹果，后3波产能也将被众多厂商预订，其中就包括Intel。
台积电目前正在按计划推进3nm工艺在2022年下半年大规模投产，设定的产能是每月5.5万片晶圆。但知情人士也透露，5.5万片是投产初期的月产能，随后就将逐步提升，2023年的月产能将提升到10万片晶圆。
晶振的启动时间，通常是指其通电后进入稳定振荡状态所需的时间。若启动时间过长，可从以下五个常见的影响因素方面进行优化。
RTC（Real-Time Clock，实时时钟）芯片作为一种独立的专用计时器件，其核心功能包括提供稳定的日历时钟、在主电源断电后持续运行、支持定时中断以及输出高精度时间戳，为各类嵌入式系统提供可靠的时间基准。
时钟系统是保障微控制器（MCU）稳定运行的核心，而晶振作为关键时钟源，主要分为无源晶振与有源晶振两种类型。下面将围绕工作原理、硬件接口、电气特性及其在MCU中的适配场景等维度，系统解析这两类晶振与MCU之间的关联逻辑。
恒温晶振（Oven Controlled Crystal Oscillator，简称OCXO）是高精度频率源的核心组件，选用切型更优（如SC切、AT切高精度型）、封装应力极小的高Q值晶片，通过恒温槽的超精密控温，让晶振始终工作在零温度系数点，几乎消除温度引发的频率漂移。
晶振倍频干扰（即高次谐波辐射）是电磁兼容（EMC）设计中非常棘手的问题，通常表现为基频25MHz的5次、7次谐波（如125MHz、175MHz等）处辐射超标。该问题源于晶振输出方波信号包含丰富的高次谐波成分，若PCB布局不当，晶振及其走线极易构成高效辐射天线，导致电磁干扰增强。
