Mos管并联及小电流发热处理

mos管如何并联使用。并联是元件之间的一种连接方式，其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等首首相接，同时尾尾亦相连的一种连接方式。通常是用来指电路中电子元件的连接方式，即并联电路。MOS管并联工作原理，采用对每个并联的MOS管单独实限流技术来限制流过每个MOS管的电流。具体方法如下：

在每个MOS管串联作电流检测用的采样电阻（图中的RlO、Rll、R12），实时对流过每个MOS管的电流进行监测。3路分流器的采集信号均送人4比较器。作为判断是否过流的依据：只要流过任何一个MOS管的电流超过对其所限定的电流保护值，则控制回路依据送出的过流保护信号马上限制驱动脉冲的开度，保证当前流过每个MOS管的电流不超过所限定的电保护值。

在图1中，如果在PWNin驱动脉冲加入后，假定MOS1先开通，MOS2、MOS3暂时未开通，则电流只能先流过MOS1，而且电流被限制在其限制值以内；接着MOS2又开通，则部分原先流过MOS1的电流会被分流到MOS2，必然引起流过MOS1的电流小于其限制值，于是过流信号消失，PWNin驱动脉冲开度加大，直至电流重新到达MOS1或MOS2的电流限制点后，PWNin驱动脉冲才会停止增加。以后MOS3导通的又重复上述的电流分配过程，直至到达新的电流平衡。同理，可分析MOS管任何时刻单个或多个导通时电流的自行分配过程。

MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

我们经常看MOS管的PDF参数，MOS管制造商采用RDS（ON）参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS（ON）也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS（ON）与栅极（或驱动）电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS（ON）是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS（ON）的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。

mos管小电流发热的原因。电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。处理办法就是做好MOS管的散热设计，添加足够多的辅助散热片。以及贴散热胶。