发布时间:2020-10-9 阅读量:1363 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网
放电故障对变压器绝缘的影响。放电对绝缘有两种破坏作用,一种是由于放电质点直接轰击绝缘,使局部绝缘受到破坏并逐步扩大,使绝缘击穿。另一种是放电产生的热、臭氧、氧化氮等活性气体的化学作用,使局部绝缘受到腐蚀,介质损耗增大,最后导致热击穿。

绝缘材料电老化是放电故障的主要形式。局部放电引起绝缘材料中化学键的分离、裂解和分子结构的破坏。放电点热效应引起绝缘的热裂解或促进氧化裂解,增大了介质的电导和损耗产生恶性循环,加速老化过程。放电过程生成的臭氧、氮氧化物遇到水分生成硝酸化学反应腐蚀绝缘体,导致绝缘性能劣化。放电过程的高能辐射,使绝缘材料变脆。放电时产生的高压气体引起绝缘体开裂,并形成新的放电点,
固体绝缘的电老化。固体绝缘的电老化的形成和发展是树枝状,在电场集中处产生放电,引发树枝状放电痕迹,并逐步发展导致绝缘击穿。液体浸渍绝缘的电老化。如局部放电一般先发生在固体或油内的小气泡中,而放电过程又使油分解产生气体并被油部分吸收,如产气速率高,气泡将扩大、增多,使放电增强,同时放电产生的X—蜡沉积在固体绝缘上使散热困难、放电增强、出现过热,促使固体绝缘损坏。
变压器差动保护中减小励磁涌流影响的措施。防止励磁涌流的影响,采用具有速饱和变流器的继电器是国内目前广泛采用的一种方法。当外部故障时,所含非周期分量的最大不平衡电流能使速饱和变流器的铁芯很快地单方面饱和,传变性能变坏,致使不平衡电流难于传变到差动继电器的差动线圈上,保证差动保护不会误动。内部故障时虽然速饱和变流器一次线圈的电流也含有一定的非周期性分量,但它衰减得快,一般经过1.5~2个周波即衰减完毕,此后速饱和变流器一次线圈中通过的完全是周期性的短路电流,于是在二次线圈中产生很大的感应电动势,并使执行元件中的相应电流也较大,从而使继电器能灵敏地动作。速饱和变流器正是利用容易饱和的性能来躲过变压器外部短路不平衡电流和空载合闸励磁涌流的非周期分量影响。

此外,减小励磁涌流还可以采用以下措施,采用内部短路电流和励磁涌流波形的差别(有无间断角)来躲过励磁涌流。即间断角鉴别法,这种方法是将差电流进行微分,再将微分后的电流进行全波整流,利用整流后的波形在动作整定值下存在时间长短来判断是内部故障,还是励磁涌流。利用二次谐波制动。保护装置在变压器空载投入和外部故障切除电压恢复时,利用二次谐波分量进行制动;内部故障时,利用基波做;外部故障时,利用比例制动回路躲过不平衡电流。为了保证差动保护动作的选择性,差动继电器的动作电流必须避免最大不平衡电流。不平衡电流越小,保护装置的灵敏度越高,从而保证变压器的安全稳定运行。
晶振的启动时间,通常是指其通电后进入稳定振荡状态所需的时间。若启动时间过长,可从以下五个常见的影响因素方面进行优化。
RTC(Real-Time Clock,实时时钟)芯片作为一种独立的专用计时器件,其核心功能包括提供稳定的日历时钟、在主电源断电后持续运行、支持定时中断以及输出高精度时间戳,为各类嵌入式系统提供可靠的时间基准。
时钟系统是保障微控制器(MCU)稳定运行的核心,而晶振作为关键时钟源,主要分为无源晶振与有源晶振两种类型。下面将围绕工作原理、硬件接口、电气特性及其在MCU中的适配场景等维度,系统解析这两类晶振与MCU之间的关联逻辑。
恒温晶振(Oven Controlled Crystal Oscillator,简称OCXO)是高精度频率源的核心组件,选用切型更优(如SC切、AT切高精度型)、封装应力极小的高Q值晶片,通过恒温槽的超精密控温,让晶振始终工作在零温度系数点,几乎消除温度引发的频率漂移。
晶振倍频干扰(即高次谐波辐射)是电磁兼容(EMC)设计中非常棘手的问题,通常表现为基频25MHz的5次、7次谐波(如125MHz、175MHz等)处辐射超标。该问题源于晶振输出方波信号包含丰富的高次谐波成分,若PCB布局不当,晶振及其走线极易构成高效辐射天线,导致电磁干扰增强。