中芯国际突破关键技术，IP实现自主国产

近日，中国一站式IP和定制芯片企业芯动科技宣布：已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过。N+1工艺在功耗及稳定性上与7nm工艺相似，但性能要低一些(业界标准是提升35%)，主要面向低功耗应用，其后还会有面向高性能的N+2。

N+1工艺是中芯国际在第一代先进工艺14nm量产后，第二代先进工艺的代号。据透露，与14nm相比，N+1工艺有了更大的突破——性能提升20%、功耗降低57%以及逻辑面积缩小63%，中芯国际联合CEO梁孟松披露，在功率和稳定性方面，N+1和7nm工艺非常相似，唯一区别在于性能方面，N+1工艺提升较小。

流片是芯片量产前的一个必要步骤。为了测试集成电路设计是否成功，需要对芯片进行试生产，以检验电路是否具备所需的性能和功能。如果流片成功，就可以大规模地量产芯片;反之，就需要找出其中的原因，并进行相应的优化设计。

中芯国际的N+1工艺有望于2020年底小批量试产。按照这样的时间表推测，如果顺利的话，中芯国际N+1工艺确实可能会在2021年规模量产。

除了手机处理器使用到最先进芯片制程之外，许多的芯片对于制程的要求并不高，以台积电为例，台积电2019年晶圆出货量达1,010万片12寸晶圆约当量，上年为1,080万片12寸晶圆约当量。先进制程技术(16nm及以下更先进制程)的销售金额占整体晶圆销售金额的50%，高于上一年的41%。提供272种不同的制程技术。

而剩余的50%都是16nm以上制程，可以说，中芯国际的7nm工艺将满足国内绝大部分芯片需求。在目前缺少第五代EUV光刻机的情况下，中芯国际也很难再向5nm工艺迈进。

目前中芯国际收到美国的制裁，也在一定程度上影响了其先进制程的研发，虽然中芯国际受到美国出口限制，但是目前中芯国际的情况还未到最糟糕的时刻。目前美国并未将中芯国际列入实体清单，中芯国际也仍有望顺利获得部分的许可，以使得部分成熟的制裁的生产能够维持。

不过，对于中芯国际来说，其目前仍严重依赖美系半导体设备供应商，包括美国美国应用材料、泛林集团、科磊、泰瑞达等。所以，首先需要考虑的则是，如何维持足够长时间的运转，以便能够支撑到不受美国制约的去美化产线的建成。

中芯国际的未来，还要靠国内建成完善成熟的芯片产业链，从而可以实现高端芯片设计制造都可以在国内完成。