变电过压影响和差动保护变流

发布时间:2020-10-26 阅读量:1213 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网

油保护方式的影响。变压器油中氧的作用会加速绝缘分解反应,而含氧量与油保护方式有关。另外,池保护方式不同,使CO和CO2在油中解和扩散状况不同。如CO的溶解小,使开放式变压器CO易扩散至油面空间,因此,开放式变压器一般情况CO的体积分数不大于300x10-6。密封式变压器,由于油面与空气绝缘,使CO和CO2不易挥发,所以其含量较高。

 

image.png


过电压的影响。暂态过电压的影响。三相变压器正常运行产生的相、地间电压是相间电压的58%,但发生单相故障时主绝缘的电压对中性点接地系统将增加30%,对中性点不接地系统将增加73%,因而可能损伤绝缘。雷电过电压的影响。雷电过电压由于波头陡,引起纵绝缘(匝问、并间、绝缘)上电压分布很不均匀,可能在绝缘上留下放电痕迹,从而使固体绝缘受到破坏。

 

操作过电压的影响。由于操作过电压的波头相当平缓,所以电压分布近似线性,操作过电压波由一个绕组转移到另一个绕组上时,约与这两个绕组间的匝数成正比,从而容易造成主绝缘或相间绝缘的劣化和损坏。短路电动力的影响。出口短路时的电动力可能会使变压器绕组变形、引线移位,从而改变了原有的绝缘距离,使绝缘发热,加速老化或受到损伤造成放电、拉弧及短路故障。掌握电力变压器的绝缘性能及合理的运行维护,才能保证电力变压器的使用效率、寿命和供电可靠性。

 

主变低压侧断路器合闸时就跳闸,多次操作仍出现此情况。在认真检查变压器后,是由于励磁涌流的影响。当励磁涌流进入差动回路时,由于速饱和变流器的铁芯具有极易饱和的特性,其中很大的非周期分量使速饱和变流器的铁芯迅速严重饱和,励磁阻抗锐减,使得励磁涌流中几乎全部非周期分量及部分周期分量电流从速饱和变流器的一次侧绕组通过,变换到二次侧绕组的电流就很小,差动保护就不会动作。只要合理调节速饱和变流器一二次侧绕组匝数,就可以更好的消除励磁涌流对差动保护的影响。差动保护速饱和变流器一次侧由差动线圈(工作线圈)、平衡线圈组成。由差动保护速饱和变流器的原理得出,只要合理调节差动线圈和平衡线圈,就可以消除励磁涌流对差动保护的影响。

 

image.png


差动线圈的具体整定是:差动线圈在5、6、8、10、13、20匝处有抽头,差动继电器相应动作电流值可整定为12、10、7.5、6、4.6、3A。通过对变压器励磁涌流产生的特点及其对差动保护的影响,在检查中发现速饱和变流器中的差动线圈在20匝处,这样继电器的动作电流就为3A,保护时限为0s,而变压器实际中要产生4.56A励磁涌流,要在0.5~1s后才开始衰减,显然差动保护整定电流不能躲过励磁涌流的影响而造成断路器跳闸。将差动线圈调整为10匝,动作电流为6A后,即解决了变压器空载合闸合不上的问题。


220x90
相关资讯
晶振启动时间影响因素解析与优化方向

​晶振的启动时间,通常是指其通电后进入稳定振荡状态所需的时间。若启动时间过长,可从以下五个常见的影响因素方面进行优化。

解析RTC实时时钟芯片的工作原理

RTC(Real-Time Clock,实时时钟)芯片作为一种独立的专用计时器件,其核心功能包括提供稳定的日历时钟、在主电源断电后持续运行、支持定时中断以及输出高精度时间戳,为各类嵌入式系统提供可靠的时间基准。

无源晶振与有源晶振在MCU应用中的关联逻辑与选型指南

时钟系统是保障微控制器(MCU)稳定运行的核心,而晶振作为关键时钟源,主要分为无源晶振与有源晶振两种类型。下面将围绕工作原理、硬件接口、电气特性及其在MCU中的适配场景等维度,系统解析这两类晶振与MCU之间的关联逻辑。

VC-OCXO压控恒温晶振管脚功能定义解析

恒温晶振(Oven Controlled Crystal Oscillator,简称OCXO)是高精度频率源的核心组件,选用切型更优(如SC切、AT切高精度型)、封装应力极小的高Q值晶片,通过恒温槽的超精密控温,让晶振始终工作在零温度系数点,几乎消除温度引发的频率漂移。

晶振倍频干扰解决方案:从PCB布局优化到源头抑制与电路整改

晶振倍频干扰(即高次谐波辐射)是电磁兼容(EMC)设计中非常棘手的问题,通常表现为基频25MHz的5次、7次谐波(如125MHz、175MHz等)处辐射超标。该问题源于晶振输出方波信号包含丰富的高次谐波成分,若PCB布局不当,晶振及其走线极易构成高效辐射天线,导致电磁干扰增强。