发布时间:2020-11-2 阅读量:1185 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网
变压器有功损耗分空载损耗P0和负载损耗Pk,空载损耗主要由铁芯中的磁滞损失和涡流损失造成,这两种损耗皆由变压器的铁芯产生,因此空载损耗也称铁损。空载损耗与电压、频率、铁芯材质等因素有关,与负载大小无关,因此是相对固定的损耗。

额定负载损耗指一二次绕组都运行于额定电流状态下,一二次绕组产生的损耗,因一二次绕组都是铜绕组,因此也称为铜损。负载损耗随负载大小及运行温度的变化而变化。变压器无功损耗不直接产生实际电能损耗,可通过低压侧电容补偿。
在S7型以上,空载损耗每降低约10%,代号“7”则在数字上加“1”。从产品发展过程中,负载损耗降低较多,平均为25%,后因没有突破性新材质,负载损耗下降较困难。所以性能水平代号以空载损耗降低为标准。以400kVA为例,S7型空载损耗920W,S11型空载损耗570W,下降38%。常用的新型配电变压器是S11型叠铁芯变压器,分析损耗降低原理为:生产S11型变压器采用的是外高磁化力的高导磁硅钢片,片厚为0.27mm,单位铁损1W/kg,新S9型为普通硅钢片,片厚为0.35mm,单位铁损1.55W/kg。如果要使单位损耗进一步降低,就需进一步采用激光照射和机械压痕的措施。
目前最节能的新型配电变压器是非晶合金铁芯变压器,简称非晶变压器,铁芯采用非晶合金卷制而成。非晶合金片厚度只有0.02~0.05mm,一般只适宜采用卷铁芯结构,当变压器容量较大时,不适合采用卷铁芯结构,应采用三相叠铁芯结构,此时可预先将若干片非晶合金粘合起来。非晶变压器的性能代号可达到16,相对于9系列,可降低空载损耗80%。金属熔化后在高温下分子不按晶格排列,缓慢冷却时,形成结晶态,当急速冷却时来不及按晶格排列而成非晶态,制造非晶合金时,其冷却速度为105~107K/s。非晶合金由铁、镍、铬、钴等金属添加硼、碳、硅、磷等非金属组成。非晶合金磁化功率小,磁滞损耗小,涡流损耗小,比用硅钢片铁芯的变压器空载损耗下降70%~80%。
新建10kV配电室中,S11与S9的比较(以较典型的400kVA容量为例)。S11比S9空载损耗减少0.23kW,负载损耗一样,电价按普通工业电计为0.78元/kWh,每年因损耗减少节约电费为:0.23×24×365 ×0.78=1572元。S11与S9的价差为4588元,收回成本年限为:4588/1572=2.9(年),因此变压器如要使用2.9年以上,单纯从经济方面考虑,使用S11型也是合算的,环境保护的意义尚未计算在内。再以S11-200与S9-200相比较,收回成本年限为2.9年;S11-800与S9-800比较,收回成本年限为2.7年,其它容量在此不一一例举。

新建10kV配电室中,SH16与S11的比较(以较典型的400kVA容量为例)。SH16比S11的空载损耗减少了0.41kW,负载损耗一样,电价按普通工业电计为0.78元/kWh,每年因损耗减少节约电费0.41×24 ×365×0.78=2801元,SH16与S11的价差为18351元,收回成本年限为18351/2801=6.6(年),因此变压器如要使用6.6年以上,单纯从经济方面考虑,使用SH16也是合算的,环境保护的意义尚未计算在内。再以SH16-200与S11-200进行比较,收回成本的年限为6.9年;SH16-800与S11-800相比较,收回成本的年限为6.4年,其它容量不一一例举。
晶振的启动时间,通常是指其通电后进入稳定振荡状态所需的时间。若启动时间过长,可从以下五个常见的影响因素方面进行优化。
RTC(Real-Time Clock,实时时钟)芯片作为一种独立的专用计时器件,其核心功能包括提供稳定的日历时钟、在主电源断电后持续运行、支持定时中断以及输出高精度时间戳,为各类嵌入式系统提供可靠的时间基准。
时钟系统是保障微控制器(MCU)稳定运行的核心,而晶振作为关键时钟源,主要分为无源晶振与有源晶振两种类型。下面将围绕工作原理、硬件接口、电气特性及其在MCU中的适配场景等维度,系统解析这两类晶振与MCU之间的关联逻辑。
恒温晶振(Oven Controlled Crystal Oscillator,简称OCXO)是高精度频率源的核心组件,选用切型更优(如SC切、AT切高精度型)、封装应力极小的高Q值晶片,通过恒温槽的超精密控温,让晶振始终工作在零温度系数点,几乎消除温度引发的频率漂移。
晶振倍频干扰(即高次谐波辐射)是电磁兼容(EMC)设计中非常棘手的问题,通常表现为基频25MHz的5次、7次谐波(如125MHz、175MHz等)处辐射超标。该问题源于晶振输出方波信号包含丰富的高次谐波成分,若PCB布局不当,晶振及其走线极易构成高效辐射天线,导致电磁干扰增强。