极性电容异同和MOSFET额定电流

有极性电容和普通电容异同。原理上相同，都是存储电荷和释放电荷；极板上的电压（这里把电荷积累的电动势叫电压）不能突变。区别在于介质的不同、性能不同、容量不同、结构不同致使用环境和用途也不同。有极性电容大多采用电解质做介质材料，通常同体积的电容有极性电容容量大。

无极性电容介质材料也很多，大多采用金属氧化膜、涤纶等。性能不同。如果在电视机里电源部分用金属氧化膜电容器做滤波的话，而且要达到滤波要求的电容器容量和耐压。机壳内恐怕也就只能装个电源了。所以作为滤波只能使用有极性电容，有极性电容是不可逆的。就是说正极必须接高电位端，负极必须接低电位端。一般电解电容在1微法拉以上，做偶合、退偶合、电源滤波等。无极性电容大多在1微法拉以下，参与谐振、偶合、选频、限流、等。

对于分布电容在高频和中频器件中决不可忽视。功能上是一样的。主要区别是在容量上，受材料结构的影响，一般无极性电容的容量都比较小，一般在10uF以下，而极性电容的容量普遍较大。比如在进行电源滤波的时候，你不得不使用大容量的极性电容。纯交流电路中，只能使用无极性电容器。在直流电压叠加交流信号的电路中，且能保证叠加后的最低电压不会成为负值，就可以使用有极性的电容器。不能说容量大的电容就有极性，用在电力系统中做相位角调整和用在启动电络中做消弧用的电容，容量有时做得很大，但是不分极性的。无极性电容和无极性电解电容器不是一回事。绝大多数种类的电容都是无极性的，唯独电解电容有极性，电解电容当中，又有很特殊的无极性电解电容。

选择MOSFET的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。

选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOSFET并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显着变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。